[发明专利]使用阴影心轴和偏轴曝光印制亚光刻图像

权利要求书

1.一种在衬底上限定结构的方法，包括以下步骤：

a.在衬底上淀积阴影心轴层；

b.在阴影心轴层中腐蚀出沟槽，沟槽具有侧壁和底部；

c.在阴影心轴层和沟槽上淀积光致抗蚀剂层；

d.以曝光沟槽底部第一部分的光致抗蚀剂和使沟槽底部第二部分的光致抗蚀剂由沟槽侧壁阻挡并且不曝光的角度曝光光致抗蚀剂层；

e.显影光致抗蚀剂层；以及

f.使用显影的光致抗蚀剂层限定结构。

2.根据权利要求1的方法，其中光致抗蚀剂层为正型光刻胶。

3.根据权利要求1的方法，其中显影光致抗蚀剂层的步骤包括从沟槽底部的第一部分除去曝光的光致抗蚀剂，其中使用显影的光致抗蚀剂层限定结构的步骤还包括使用未曝光的第二部分的其余光致抗蚀剂限定结构。

4.根据权利要求3的方法，其中使用未曝光的第二部分的其余光致抗蚀剂的步骤包括使用其余的光致抗蚀剂作为硬掩模，同时腐蚀下面的衬底，由此不腐蚀其余光致抗蚀剂下面的衬底。

5.根据权利要求4的方法，其中衬底为栅导体。

6.根据权利要求1的方法，其中光致抗蚀剂层为负型光刻胶。

7.根据权利要求1的方法，其中显影光致抗蚀剂层的步骤包括除去沟槽底部的第二部分未曝光的光致抗蚀剂，使用显影的光致抗蚀剂限定结构的步骤包括使用除去的光致抗蚀剂的第一部分限定结构。

8.根据权利要求7的方法，其中使用除去的光致抗蚀剂层的第一部分限定结构的步骤包括腐蚀衬底由此除去的光致抗蚀剂第一部分下面的衬底被腐蚀。

9.根据权利要求8的方法，其中衬底包括存储层。

10.根据权利要求1的方法，其中使用化学汽相淀积淀积光致抗蚀剂层。

11.根据权利要求1的方法，其中光致抗蚀剂层包括硅烷光致抗蚀剂。

12.根据权利要求11的方法，其中曝光光致抗蚀剂的步骤包括将氧离子注入到光致抗蚀剂内。

13.根据权利要求12的方法，其中显影光致抗蚀剂层的步骤包括使用氯显影剂将聚硅烷显影为负光致抗蚀剂。

14.根据权利要求12的方法，其中显影光致抗蚀剂层的步骤包括使用氢氟酸显影剂将聚硅烷显影为正型光致抗蚀剂。

15.根据权利要求12的方法，其中显影光致抗蚀剂层的步骤包括使用氟等离子体显影剂将聚硅烷显影为正型光致抗蚀剂，以显影光致抗蚀剂层。

16.根据权利要求1的方法，其中淀积光致抗蚀剂层的步骤包括化学汽相淀积硅烷光致抗蚀剂。

17.根据权利要求1的方法，其中光致抗蚀剂层包括多晶硅。

18.根据权利要求14的方法，其中曝光光致抗蚀剂的步骤包括将硼离子注入到光致抗蚀剂内。

19.根据权利要求18的方法，其中显影光致抗蚀剂层的步骤包括使用氢氧化钾显影剂将多晶硅显影为负型光致抗蚀剂。

20.根据权利要求1的方法，其中沟槽沿两个轴延伸，其中曝光光致抗蚀剂的步骤还包括相对于沟槽的两个轴以不垂直的角度曝光光致抗蚀剂，由此沟槽底部未曝光的第二部分沿两个轴延伸。

21.根据权利要求20的方法，其中曝光光致抗蚀剂层的步骤包括将离子注入到光致抗蚀剂内。

22.根据权利要求21的方法，还包括采用阻挡掩模抗蚀剂图案防止沟槽底部的第三部分被曝光。

23.根据权利要求1的方法，其中所限定的结构为栅。

24.根据权利要求1的方法，其中结构限定为接触孔。