[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

(A)在半导体衬底上形成由包括铜或铜合金的金属材料构成的金属布线，

(B)在金属布线上形成层间绝缘膜，

(C)通过干腐蚀，在层间绝缘膜的预定位置形成到达金属布线的通孔，

(D)使用含有能够与沾污物形成络合物的络合剂的清洗液，去除由金属材料和/或其化合物构成且作为干腐蚀的结果粘附于通孔内壁上的沾污物，

(E)在通孔的内壁上形成阻挡金属膜，然后在所获得的整个衬底表面上形成导电膜，以填充通孔，和

(F)通过腐蚀或化学机械抛光，去除形成于通孔外部的导电膜和阻挡金属膜的不需要部分，获得平坦的表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中，络合剂包括选自至少下列构成的三种化合物组中的至少一种化合物：(a)聚胺羧酸，(b)除聚胺羧酸之外的羧酸，(c)氟化铵。

3.如权利要求1所述的方法，其中，络合剂包括(a)聚胺羧酸，(b)除聚胺羧酸之外的羧酸。

4.如权利要求2所述的方法，其中，聚胺羧酸(a)是乙二胺四乙酸、反式-1，2-环己二胺四乙酸、次氮基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、N-(2-羟乙基)乙二胺-N，N′，N′-三乙酸或其盐。

5.如权利要求2所述的方法，其中，除聚胺羧酸之外的羧酸(b)是乙二酸、柠檬酸、苹果酸、马来酸、琥珀酸、酒石酸、丙二酸或其盐

6.如权利要求1所述的方法，其中层间绝缘膜是SOG(玻璃上的旋涂)膜。

7.如权利要求1所述的方法，其中层间绝缘膜是HSQ(氢硅倍半环氧乙烷)膜。

8.如权利要求1所述的方法，其中在步骤(C)和步骤(D)之间还包括：用含胺化合物的清洗液清洗通孔内壁的步骤。

9.如权利要求1所述的方法，其中，清洗液包含其中含有胺化合物的清洗液。

10.制造具有铜布线的半导体器件的方法，该方法包括：在形成通孔之后，用包含能够与铜类金属沾污物形成络合物的络合剂的清洗液清洗通孔内部。