[发明专利]发光半导体装置及其制作方法

权利要求书

1、一种发光半导体装置，包括：一半导体堆叠结构，用以回应电流的导通而发出光线，一衬底及电极，电极用以施加电流至半导体堆叠结构；其特征在于，还包括：

一反射层，位于半导体堆叠结构的一主要表面上，用以反射由堆叠结构产生的光线；

衬底为一厚层，位于反射层的表面上。

2、根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述反射层中具有至少一个导电性较其他部分差的电流阻隔区域。

3、根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电流阻隔区域为绝缘氧化物、绝缘氮化物、空气或肖特基性接触区中之一。

4、根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述反射层是单层结构钛、铝、金、多层结构金/锗、钛/铝、镍/金中之一。

5、根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述半导体堆叠结构包括：

一下包覆层，下包覆层中掺入第一导电型杂质；

一上包覆层，上包覆层中掺入第二导电型杂质且邻接于下包覆层；

一欧姆接触层，形成在上包覆层上。

6、根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述半导体堆叠结构还包括：

一活性层，界于下包覆层与上包覆层之间。

7、根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述下包覆盖为一n型铝镓铟磷半导体层，所述上包覆层为一p型铝镓铟磷半导体层。

8、根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述下包覆层为一n型氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层，所述上包覆层为一p型氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层。

9、根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述衬底的材料为锗、硅、磷化镓、磷化铟等任何组成的化合物半导体。

10、根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述衬底的材料为氧化铟锡、氧化锌等导电型氧化物中之一。

11、根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述电极包括两个电极，分别位于所述衬底的表面及所述堆叠结构相对于所述主要表面的另一表面上。

12、一种发光半导体装置的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

在一第一衬底上形成第一导电型的下包覆层；

邻接下包覆层，形成第二导电型上包覆层；

在上包覆层上形成一欧姆接触层；

在欧姆接触层上形成一反射层；

将一第二衬底接合在反射层上；

移去第一衬底；

制作可分别导通至上包覆层及下包覆层的电极。

13、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括下列步骤：

在形成下包覆层之前，在第一衬底上形成一第一导电型的缓冲层，下包覆层形成在缓冲层上。

14、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述下包覆层为一n型氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层，上包覆层为一P型氮化镓Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层。

15、根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，还包括下列步骤：

在形成所述上包覆层之前，在下包覆盖层上形成一活性层，活性层界于所述下包覆盖层与上包覆层之间。

16、根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述反射层中至少具有一个导电性较其他部分差的区域，作电流阻隔区域。

17、根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述电流阻隔区为绝缘氧化物、绝缘氮化物、空气及肖特基性接触区中之一。

18、根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述反射层是钛、铝或金等单层结构、金/锗、钛/铝或镍/金等多层结构中之一。

19、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述下包覆层为一n型铝镓铟磷半导体层，所述上包覆层为一P型铝镓铟磷半导体层。

20、根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述第二衬底的材料为锗、硅、磷化镓、磷化铟等任何组成的化合物半导体、氧化铟锡、氧化锌等导电型氧化物中之一。