[发明专利]稀土掺杂的半导体薄膜无效
| 申请号： | 99123482.0 | 申请日： | 1993-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1255736A | 公开（公告）日： | 2000-06-07 |
| 发明（设计）人： | 大卫·B·彼迟 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/0288;H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稀土 掺杂 半导体 薄膜 | ||
1.一种光学有源外延薄膜，包括由硅、锗或硅-锗构成的半导体，所述薄膜含有从约8×1018至约8×1019原子/厘米3的稀土元素，且基本上无稀土硅化物和锗化物析出。
3.如权利要求1所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述半导体为硅。
3.如权利要求2所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述薄膜含有从约8×1018至约10×1019原子/厘米3的铒，且基本上无铒的硅化物析出。
4.如权利要求3所述的光学有源薄膜，其特征在于：还包括约4×1019原子/厘米3的氧。
5.如权利要求1所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述半导体为锗。
6、如权利要求5所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述稀土元素为铒，所述薄膜基本上无锗化铒析出物。
7.如权利要求1所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述半导体是硅-锗。
8.如权利要求7所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述稀土元素为铒，所述薄膜基本上无锗化铒和硅化铒析出物。
9.如权利要求1所述的光学有源薄膜，其特征在于：还包括氧原子。
10.如权利要求1所述的光学有源薄膜，其特征在于：还包括氟原子。
11.如权利要求1所述的光学有源薄膜，其特征在于：还包括碳原子。
12.如权利要求9所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述氧原子的浓度为约4×1019原子/厘米3。
13.如权利要求10所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述氟原子的浓度为约4×1019原子/厘米3。
14.如权利要求11所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述碳原子的浓度为4×1019原子/厘米3。
15.一种光电子器件，包括一衬底和附着其上的外延半导体薄膜，所述半导体膜包括一半导体和基本为单相的铒元素，其中铒元素的浓度高于其在所述半导体层中为单相时的平衡浓度，所述半导体为硅或硅和锗的混合物，所述薄膜含有从约8×1018至约8×1019原子/厘米3的铒元素，且基本上无铒的硅化物和铒的锗化物析出物和电学退化缺陷。
16.如权利要求15所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述衬底包括一单晶硅片。
17.如权利要求15所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述薄膜还包括从约1017至约1019原子/厘米3的氧。
18.如权利要求15所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述薄膜还包括从约1017至约1019原子/厘米3的氟。
19.如权利要求15所述的光学有源薄膜，其特征在于：所述薄膜还包括从约1017至约1019原子/厘米3的碳。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
