[发明专利]快速动态式正反器无效
申请号: | 99123950.4 | 申请日: | 1999-11-18 |
公开(公告)号: | CN1297285A | 公开(公告)日: | 2001-05-30 |
发明(设计)人: | 李其健;杨清渊;邓光铠;许峻铭;刘深渊 | 申请(专利权)人: | 合邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K21/00 | 分类号: | H03K21/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 动态 正反器 | ||
本发明涉及一种电通信技术领域的正反器,特别是涉及一种运用于高速前置分频器而可缩短延迟时间提高处理速度的快速动态式正反器。
在无线通信的技术领域中,具有高频前置除频器的频率合成器是极为重要的零组件。请参阅图7所示,揭示有一种除128/129及64/65的双模式前置分频器,其包括有一除4/5的同步计数电路80、一除32的非同步计数电路90及若干逻辑闸,其中,该同步计数电路80是由三组D型正反器及两组反及闸(NAND)组成,非同步计数电路90则由一串T型正反器组成。
以前述的前置分频器,是除128/129及64/65的双模式架构,其中,模式控制端Mode通过逻辑闸送出的MC信号是用以决定同步计数电路80为除4(MC=0)或除5(MC=1)格式,又另一控制端SW则用以选择分频器是作除128/129或除64/65模式。
由前述构造可看出,同步计数电路80为双模式前置分频器的主要构成元件,而D型正反器则为同步计数电路80的主要构成元件,但既有D型正反器却存在有以下若干问题:
1、组成电子元件(如晶体管)多,线路复杂。
2、由于晶体管数量多,路径长,杂散电容效应大,相对延迟时间长,故操作速度相对降低。
3、在晶体管方面,互补型金氧半场效应管(CMOS Transistor)不似双载子晶体管(Bipolar Junction Transistor)与砷化镓晶体管(GaAsTransistor)等经常工作于高频场合,如要使互补型金氧半场效应管构成的除法器工作在GHz的高频环境,是一个很大的挑战,然而此种需求并不因其技术困难而消减。
由上述可知,基于前述揭示的各项问题,目前在高频前置分频器中采用的D型正反器,在执行速度上仍非十分理想,而有待进一步改进,并谋求解决之道。由此可见,上述现有的正反器仍存在有缺陷,丞待加以改进。
有鉴于上述现有的正反器存在的缺陷,本发明人基于丰富的实务经验及专业知识,积极加以研究创新,经过不断的研究、设计,并经反复试作样品及改进后,终于创设出本发明。
本发明的主要目的在于,克服现有的正反器存在的缺陷,而提供一种可缩短延迟时间提高处理速度的快速动态式正反器。
本发明次一目的在于,提供一种可改善后级输出及执行速度的快速动态式正反器。
本发明又一目的在于,提供一种可缩小组合逻辑和记忆元件间延迟时间以达高速目的的快速动态式正反器。
本发明的目的是由以下技术方案实现的。依据本发明提出的一种快速动态式正反器,其包括有:一前级,以一P型金氧半晶体管及一N型金氧半晶体管串接组成一脉波式仿NMOS反相器(clocking pseudo-NMOS inverter),在两晶体管之间界定为一输出端,而P型金氧半晶体管栅极连接CLK,N型金氧半晶体管栅极为D输入端;一中间级,以一P型金氧半晶体管与两N型金氧半晶体管串接组成一N型预充电电路(N-precharge circuit),其中该P型金氧半晶体管与一N型金氧半晶体管的栅极是连接时序脉波讯号(CLK),在前述两金氧半晶体管之间则串接另一N型金氧半晶体管,此N型金氧半晶体管的栅极为构成一输入端,并与前述的前级输出端连接;一后级,以一P型金氧半晶体管及一N型金氧半晶体管串接组成一脉波式仿PMOS反相器(clocking pseudo-PMOS inverter),其中N型金氧半晶体管栅极是连接时序脉波讯号(CLK),P型金氧半晶体管栅极则连接在前述中间级的输出端。
本发明的目的还可以通过以下技术措施来进一步实现。
前述的快速动态式正反器,其中所述的后级进一步串接有一N型金氧半晶体管,该N型金氧半晶体管栅极是串接一反相器而与前级的输出信号端连接。
前述的快速动态式正反器,其中所述的前级可由P型金氧半晶体管与一逻辑电路组成。
前述的快速动态式正反器,其中所述的逻辑电路可为一双输入与非门(NAND)。
前述的快速动态式正反器,其中所述的与非门是由两N型金氧半晶体管串接组成。
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