[发明专利]宽温区热敏电阻及其制备方法无效
| 申请号： | 99124527.X | 申请日： | 1999-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1093681C | 公开（公告）日： | 2002-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陆峰;程家骐;李凤翔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830011 新疆维*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽温区 热敏电阻 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种宽温区热敏电阻，其特征在于，该热敏电阻是由氧化镁、氧化锰、三氧化二铁为原料组成的珠状负温度系数热敏电阻，采用予烧、烧结、高温快速还原处理的方法制成，所述原料各组份的配比为含量为原子百分比：氧化镁10-40原子％、氧化锰40-10原子％、三氧化二铁20-80原子％。
2、根据权利要求1所述的一种宽温区热敏电阻的制备方法，其特征在于将原料含量为原子百分比：氧化镁10-40原子％、氧化锰40-10原子％、三氧化二铁20-80原子％按比例称量，进行混合、研磨、成型、予烧温度1000℃，时间1小时，再进行烧结，温度1250℃，时间2小时，将烧结后的样品放置在封装火焰顶部的内火处进行还原处理，时间20秒，还原后进行玻璃封装即可。
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