[发明专利]用于转换传感器分辨率的电路结构和方法

权利要求书

1、一种改进的图象传感器，其特征是，该图象传感器包括：

一光电探测器阵列，每一个光电探测器响应照射于其上的光线且在所述光电探测器被一复位信号集中复位后，独立地产生一电子信号；

一包括多个开关组的多路转换器，每一个开关耦合于一个光电探测器；所述开关组同步于一时钟控制信号而被串行地闭合；其中当一组开关闭合时，耦合于该组开关的光电探测器的相应电子信号被分别地读出；以及

多个分辨率开关，每一个开关同步于所述时钟控制信号而动作，且接收各自的电子信号。

2、如权利要求1所述的改进的图象传感器，其特征是，还包括：

一个具有多个输入端的放大器，每一个输入端耦合于一个分辨率开关且当一个分辨率开关闭合时，接收一个相应的电子信号；其中所述的一个分辨率开关接收所述的一个相应的电子信号。

3、如权利要求2所述的改进的图象传感器，其特征是，所述的光电探测器阵列被安排成一维图象传感器阵列以及由互补型金属氧化物半导体(CMOS)制成。

4、如权利要求2所述的改进的图象传感器，其特征是，还包括：

多个移位寄存器；每个移位寄存器耦合于且控制多路转换器中的一组开关；其中该组开关被一耦合于该组开关的一个移位寄存器中的脉冲所闭合。

5、如权利要求4所述的改进的图象传感器，其特征是，所述开关组的相应的电子信号借助于该多个顺序地依次动作的分辨率开关被一个个依次地耦合到该放大器。

6、如权利要求4所述的改进的图象传感器，其特征是，所述开关组的相应的电子信号借助于该多个同时动作的分辨率开关同时耦合到该放大器。

7、一种改进的图象传感器，其特征是，所述图象传感器包括：

一N个光电探测器阵列，每一个光电探测器响应照射于其上的光且在该光电探测器被一复位信号集中复位后，独立地产生一电子信号；

一包括N个开关阵列的多路转换器，每一个开关耦合于该N个光电探测器中的一个；所述的N个开关被分成M组，每一组包括K个开关；其中K＝N/M；

一M个数据寄存器阵列，每一个数据寄存器耦合于该M组开关中的一组；其中一组开关由该M个数据寄存器中的一个数据寄存器同时闭合；以及

K个分辨率开关，每一个分辨率开关耦合于M组的每一组中的K个开关之一。

8、如权利要求7所述的改进的图象传感器，其特征是，还包括一个具有K个输入端的放大器，每一个输入端耦合于所述K个分辨率开关中的一个。

9、如权利要求8所述的改进的图象传感器，其特征是，所述的K个分辨率开关被依次地闭合以便该放大器输出一信号，该信号包括所述N个光电探测器的相应的电子信号。

10、如权利要求8所述的改进的图象传感器，其特征是，所述的K个分辨率开关被同时闭合以便所述放大器输出一由该M组中每一组的电子信号合成的信号。

11、如权利要求7所述的改进的图象传感器，其特征是，所述的N个光电探测器，N个开关，M个数据寄存器以及K个分辨率开关全都制作在一片半导体材料且形成一个单一的器件。

12、如权利要求11所述的改进的图象传感器，其特征是，所述的半导体材料是互补型金属氧化物半导体(CMOS)。

13、如权利要求8所述的改进的图象传感器，其特征是，所述的N个光电探测器，N个开关，M个数据寄存器，K个分辨率开关和放大器全都制作在一片半导体材料且形成一个单一的器件。

14、如权利要求13所述的改进的图象传感器，其特征是，所述的半导体材料是互补型金属氧化物半导体(CMOS)。