[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种EL(电致发光)显示器，包括：

一个像素矩阵电路，在整个衬底上形成，且有一个薄膜晶体管；和

一个逻辑电路，在整个所述衬底上形成，供驱动所述EL显示器，具有一个P沟道薄膜晶体管和一个N沟道薄膜晶体管；

各所述P沟道薄膜晶体管和所述N沟道薄膜晶体管包括：

一晶硅膜有源层，在整个所述衬底上形成；

一栅绝缘膜，在所述有源层表面上形成；和

一个栅极，在所述栅绝缘膜上形成；

其特征在于，所述有源层含浓度不大于1×10¹⁸原子/立方厘米，起晶化促进作用的金属元素；且

所述N沟道薄膜晶体管和所述P沟道薄膜晶体管表示电气特性的S值的标准偏差分别在10毫伏/衰变内和15毫伏/衰变内。

2.如权利要求1所述的EL显示器，其特征在于，所述栅绝缘膜由汽相法制成的氧化膜和热氧化所述有源层制取的热氧化膜构成。

3.如权利要求1所述的EL显示器，其特征在于，

所述有源层为晶体结构体，通过聚集多个大致平行于所述衬底的针形或柱形晶体构成；且

所有所述针形或柱形晶体大致上沿一个方向延伸，其方向控制得使其与某一沟道方向成一特定角。

4.如权利要求1所述的EL显示器，其特征在于，

所述有源层为晶体结构体，通过聚集多个大致平行于所述衬底的针形或柱形晶体构成；且

所有所述针形或柱形晶体大致沿一个方向延伸，其方向控制得与某一沟道方向大致一致。

5.如权利要求1所述的EL显示器，其特征在于，所述有源层的沟道形成区长0.01至2毫米。

6.如权利要求1所述的EL显示器，其特征在于，所述有源层含至少一种选自Cl、F和Br组成的元素群、浓度为1×10¹⁵至1×10²⁰原子/立方厘米的元素。

7.如权利要求1所述的EL显示器，其特征在于，

所述有源层含至少一种选自Cl、F和Br组成的元素组中的元素；且

所述元素以高浓度分布在所述有源层与所述栅绝缘膜之间的界面上。

8.如权利要求1所述的EL显示器，其特征在于，所述促进晶化过程的金属元素为至少一种选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au组成的元素群的元素。

9.如权利要求1所述的EL显示器，其特征在于，所述晶硅膜是通过晶化用低压热CVD法形成的非晶硅膜形成的。

10.如权利要求2所述的EL显示器，其特征在于，所述热氧化膜所含的起晶化促进作用的所述金属元素，其浓度高于由所述汽相法形成的所述氧化膜中的浓度。

11.一种EL显示器，包括：

一个像素矩阵电路，在整个衬底上形成，且有一个薄膜晶体管；和

一个逻辑电路，在整个所述衬底上形成，供驱动所述EL显示器，具有一个P沟道薄膜晶体管和一个N沟道薄膜晶体管；

各所述P沟道薄膜晶体管和所述N沟道薄膜晶体管包括：

一晶硅膜有源层，在整个所述衬底上形成；

一栅绝缘膜，在所述有源层的表面上形成；

一个栅极，在所述栅绝缘膜上；

其特征在于，所述有源层中起晶化促进作用的金属元素的含量不大于1×10¹⁸原子/立方厘米；且

所述N沟道薄膜晶体管和所述P沟道薄膜晶体管表示电气特性的S值分别在80±30毫伏/衰变和80±45毫伏/衰变范围内。

12.如权利要求11所述的EL显示器，其特征在于，所述栅绝缘膜由汽相法形成的氧化膜和热氧化所述有源层制取的热氧化膜构成。

13.如权利要求1所述的EL显示器，其特征在于，

所述有源层为晶体结构体，通过聚集大致上平行于所述衬底的针形或柱形晶体构成；且

所述有所述针形或柱形晶体大致沿一个方向延伸，其方向控制得使其与某一沟道方向成一特定角度。