[发明专利]抗蚀剂图案,形成抗蚀剂图案的工艺以及形成布线图案的工艺无效

专利信息
申请号: 99124871.6 申请日: 1999-11-18
公开(公告)号: CN1254944A 公开(公告)日: 2000-05-31
发明(设计)人: 丰田祐二;越户义弘;长谷川正幸 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/28;H01L21/768;G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 陈亮
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 抗蚀剂 图案 形成 工艺 以及 布线
【权利要求书】:

1.一种具有抗蚀剂图案的基片,其中所述抗蚀图案具有表面和背面,其特征在于所述抗蚀剂图案包含形成在其表面上的多个凹陷,所述凹陷未达到抗蚀剂图案的背面。

2.如权利要求1所述的具有抗蚀剂图案的基片,其特征在于所述抗蚀剂的厚度等于或大于2μm。

3.用于形成抗蚀剂图案的工艺,其特征在于所述工艺包含步骤:

通过光掩膜使抗蚀剂暴露于光;及

使曝光后的抗蚀剂显像,以形成抗蚀剂图案,它具有表面和背面,所述光掩膜具有线宽等于或小于光的分辨极限的图案,以在抗蚀剂图案的表面上形成凹陷,所述凹陷不到达抗蚀剂图案的背面。

4.一种形成布线图案的工艺,所述工艺包含步骤:

将抗蚀剂涂覆在底板的馈送薄膜上;

通过光掩模将抗蚀剂暴露于光,所述光掩模具有线宽等于或小于光分辨极限的图案;

使所述曝光的抗蚀剂显像,以形成具有表面和背面的抗蚀剂图案,抗蚀剂图案表面上具有槽凹陷,所述凹陷未达到抗蚀剂图案的背面;

在沉淀后去掉抗蚀剂图案;及

在未由电镀金属覆盖的区域中选择性地去掉馈送薄膜。

5.一种形成如权利要求4所述的布线图案的工艺,其特征在于所述抗蚀剂是正抗蚀剂。

6.一种形成布线图案的工艺,其特征在于所述工艺包含步骤:

将抗蚀剂涂覆到基片上;

通过光掩膜使抗蚀剂暴露于光,所述光掩膜具有线宽等于或小于光的分辨极限的图案;

使所述曝光后的抗蚀剂显像,以形成具有表面和背面的抗蚀剂图案,抗蚀剂图案的表面上具有槽凹陷,所述凹陷未达到抗蚀剂图案的背面;

将金属材料沉淀在所述抗蚀剂图案和所述基片上;及

随后将抗蚀剂从基片上去掉,以去掉抗蚀剂上的所述金属材料。

7.一种形成如权利要求6所述1布线图案的工艺,其特征在于所述抗蚀剂是负性抗蚀剂。

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