[发明专利]抗蚀剂图案,形成抗蚀剂图案的工艺以及形成布线图案的工艺无效
申请号: | 99124871.6 | 申请日: | 1999-11-18 |
公开(公告)号: | CN1254944A | 公开(公告)日: | 2000-05-31 |
发明(设计)人: | 丰田祐二;越户义弘;长谷川正幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/28;H01L21/768;G03F7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抗蚀剂 图案 形成 工艺 以及 布线 | ||
1.一种具有抗蚀剂图案的基片,其中所述抗蚀图案具有表面和背面,其特征在于所述抗蚀剂图案包含形成在其表面上的多个凹陷,所述凹陷未达到抗蚀剂图案的背面。
2.如权利要求1所述的具有抗蚀剂图案的基片,其特征在于所述抗蚀剂的厚度等于或大于2μm。
3.用于形成抗蚀剂图案的工艺,其特征在于所述工艺包含步骤:
通过光掩膜使抗蚀剂暴露于光;及
使曝光后的抗蚀剂显像,以形成抗蚀剂图案,它具有表面和背面,所述光掩膜具有线宽等于或小于光的分辨极限的图案,以在抗蚀剂图案的表面上形成凹陷,所述凹陷不到达抗蚀剂图案的背面。
4.一种形成布线图案的工艺,所述工艺包含步骤:
将抗蚀剂涂覆在底板的馈送薄膜上;
通过光掩模将抗蚀剂暴露于光,所述光掩模具有线宽等于或小于光分辨极限的图案;
使所述曝光的抗蚀剂显像,以形成具有表面和背面的抗蚀剂图案,抗蚀剂图案表面上具有槽凹陷,所述凹陷未达到抗蚀剂图案的背面;
在沉淀后去掉抗蚀剂图案;及
在未由电镀金属覆盖的区域中选择性地去掉馈送薄膜。
5.一种形成如权利要求4所述的布线图案的工艺,其特征在于所述抗蚀剂是正抗蚀剂。
6.一种形成布线图案的工艺,其特征在于所述工艺包含步骤:
将抗蚀剂涂覆到基片上;
通过光掩膜使抗蚀剂暴露于光,所述光掩膜具有线宽等于或小于光的分辨极限的图案;
使所述曝光后的抗蚀剂显像,以形成具有表面和背面的抗蚀剂图案,抗蚀剂图案的表面上具有槽凹陷,所述凹陷未达到抗蚀剂图案的背面;
将金属材料沉淀在所述抗蚀剂图案和所述基片上;及
随后将抗蚀剂从基片上去掉,以去掉抗蚀剂上的所述金属材料。
7.一种形成如权利要求6所述1布线图案的工艺,其特征在于所述抗蚀剂是负性抗蚀剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造