[发明专利]光学信息记录介质有效
申请号: | 99124895.3 | 申请日: | 1999-11-25 |
公开(公告)号: | CN1254914A | 公开(公告)日: | 2000-05-31 |
发明(设计)人: | 宇野真由美;山田升;长田宪一;草田英夫 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 姜郛厚,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 信息 记录 介质 | ||
1.一种光学信息记录介质,包括利用激光照射可逆地改变光学特性的记录层,透过波长λ的所述激光的反射层和与所述反射层连接设置的热扩散层,其特征在于,在所述热扩散层的折射率为n时,所述热扩散层的膜厚d在0<d≤(5/16)λ/n或(7/16)λ/n≤d≤(1/2)λ/n的范围内。
2.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,构成热扩散层的材料的500K时的热传导系数在0.5W/m·K以上。
3.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,对于用于信息记录重放中的激光波长,热扩散层的折射率在1.6以上。
4.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,对于用于信息记录重放中的激光波长,热扩散层的吸收系数在1.5以下。
5.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,热扩散层包含从Al-N、Al-O-N、Al-C、Si、Si-N、SiO2、Si-O-N、Si-C、Ti-N、TiO2、Ti-C、Ta-N、Ta2O5、Ta-O-N、Ta-C、Zn-O、ZnS、ZnSe、Zr-N、Zr-O-N、Zr-C和W-C组成的组中选择的至少一种。
6.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,反射层包含从Au、Ag和Cu组成的组中选择的至少一种材料。
7.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,反射层的厚度在1nm以上20nm以下。
8.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,记录层的厚度在3nm以上20nm以下。
9.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,记录层由包含从Te、Se和Sb组成的组中选择的至少一种的相变化材料构成。
10.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,相对于激光的光学信息记录介质的平均透光率在40%以上80%以下。
11.如权利要求10所述的光学信息记录介质,其特征在于,在与激光入射侧相反的一侧,设有至少一个其它的光学信息记录介质。
12.如权利要求1所述的光学信息记录介质,其特征在于,设有与记录层的至少一侧连接,具有促进记录层结晶化效果的界面层。
13.如权利要求12所述的光学信息记录介质,其特征在于,界面层为至少包含N的材料。
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