[发明专利]氢离子敏场效应管封装方法无效
| 申请号： | 99125246.2 | 申请日： | 1999-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1298202A | 公开（公告）日： | 2001-06-06 |
| 发明（设计）人： | 韩泾鸿;张虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;G01N27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氢离子 场效应 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1．一种氢离子敏场效应管封装方法，其特征在于，
a、采用基本成型模具，该模具是由薄树脂印刷板制成；
b、粘片，将切割后粘贴好的硅片置放在模具的相应位置；
c、烘烤，将粘贴好硅片的模具置入烘箱内，在小于100度的温度下进行烘烤；
d、超声压焊；
e、注胶封装，将经过烘烤的硅片在模具上进行注胶封装；
f、定型烘干。
2．根据权利要求1所述的氢离子敏场效应管封装方法，其特征在于，其中所述的粘片，是先将硅片粘在一胶纸上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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