[发明专利]具有栅格焊球阵列结构的半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 99125420.1 申请日: 1999-12-07
公开(公告)号: CN1256515A 公开(公告)日: 2000-06-14
发明(设计)人: 木村直人 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50;H01L23/28;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,方挺
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 栅格 阵列 结构 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具有栅格焊球阵列结构的半导体器件,包括:

半导体芯片;

连接到所述半导体芯片的焊盘上的连接引线,所述连接引线有末端部分,末端部分弯曲到在与所述焊盘相对一侧的所述半导体芯片表面上;

覆盖所述半导体芯片的树脂密封部分;和

设置于所述连接引线的所述末端部分上的焊球。

2.一种具有栅格焊球阵列结构的半导体器件,包括:

半导体芯片;

连接到所述半导体芯片的焊盘上的连接引线,所述连接引线有向后弯曲的末端部分;

覆盖所述半导体芯片的树脂密封部分;和

设置于所述连接引线的所述末端部分上的焊球。

3.一种具有栅格焊球阵列结构的半导体器件,包括:

半导体芯片;

连接到所述半导体芯片的焊盘上的连接引线,所述连接引线有向后弯曲的末端部分;

覆盖所述半导体芯片的树脂密封部分;

设置于所述连接引线的所述末端部分的引线树脂部分;和

设置于所述引线树脂部分上的焊球。

4.按照权利要求1的具有栅格焊球阵列结构的半导体器件,还包括:在与所述树脂密封部分相对的一侧,设置于所述连接引线的所述末端部分上的缓冲件。

5.按照权利要求2的具有栅格焊球阵列结构的半导体器件,还包括:在与所述树脂密封部分相对的一侧,设置于所述连接引线的所述末端部分上的缓冲件。

6.按照权利要求4的具有栅格焊球阵列结构的半导体器件,其中所述缓冲件由从包括硅树脂带、热固性带和热塑性带的组中选出的一种带构成。

7.按照权利要求5的具有栅格焊球阵列结构的半导体器件,其中所述缓冲件由从包括硅树脂带、热固性带和热塑性带的组中选出的一种带构成。

8.一种具有栅格焊球阵列结构的半导体器件的制造方法,包括下列步骤:

连接连接引线与半导体芯片的焊盘;

形成覆盖所述半导体芯片的树脂密封部分;

将所述连接引线切割成预定长度;

向后弯曲所述连接引线的末端部分;和

在所述连接引线的所述末端部分上设置焊球。

9.按照权利要求8的具有栅格焊球阵列结构的半导体器件的制造方法,还包括如下步骤:在切割所述连接引线的步骤之前,在与所述树脂密封部分相对的一侧,在所述连接引线的所述末端部分上设置缓冲件。

10.一种具有栅格焊球阵列结构的半导体器件的制造方法,包括下列步骤:

连接连接引线与半导体芯片的焊盘;

形成覆盖所述半导体芯片的树脂密封部分,和在所述连接引线外的外引线部分形成引线树脂部分;

切割所述连接引线到预定长度;

向后弯曲所述连接引线的末端部分;和

在所述连接引线的所述末端部分上设置焊球。

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