[发明专利]一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法

权利要求书

1、一种在高声速材料衬底上生长氮化铝(AlN)压电薄膜的方法，包括金刚石、非晶金刚石和类金刚石薄膜衬底以及脉冲激光沉积制备技术，其特征在于，在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石、类金刚石薄膜)衬底上采用脉冲准分子激光沉积生长氮化铝(AlN)/氧化锌(ZnO)薄膜的具体步骤如下：

a.生长室抽真空，真空度为10^-6-10^-3帕，

b.加热衬底，温度为250-350℃，

c.调节淀积生长薄膜的激光能量密度为1-2焦耳/平方厘米，

d.在高声速材料衬底上用氧化锌(ZnO)靶溅射预淀积氧化锌(ZnO)薄膜，

e.将氧化锌(ZnO)/金刚石衬底的温度升至500～650℃，再在氧化锌(ZnO)过渡层上溅射淀积氮化铝(AlN)薄膜。

2、根据权利要求1所述的在高声速材料衬底上生长氮化铝(AlN)压电薄膜的方法，其特征在于采用脉冲准分子激光沉积生长氮化铝(AlN)/氧化锌(ZnO)薄膜，用氧化锌(ZnO)靶溅射预淀积氧化锌(ZnO)薄膜的膜厚为10～30纳米，

3、根据权利要求1所述的在高声速材料衬底上生长氮化铝(AlN)压电薄膜的方法，其特征在于采用脉冲准分子激光沉积生长氮化铝(AlN)/氧化锌(ZnO)薄膜，氧化锌(ZnO)过渡层上溅射淀积的氮化铝(AlN)薄膜厚度大于0.5微米。