[发明专利]防止熔丝烧断损伤的相邻熔丝之间的裂缝挡板

权利要求书

1．一种熔丝结构，它包含：

绝缘的半导体衬底；

与所述绝缘的半导体衬底成一整体的由多个平行的共平面熔丝链组成的熔丝组；以及

分散在各对所述熔丝链之间的空洞，所述空洞延伸到所述共平面熔丝链确定的平面以外。

2．权利要求1所述的熔丝结构，其中所述空洞是空气。

3．权利要求1所述的熔丝结构，其中各个所述空洞的宽度小于激光束的直径。

4．权利要求3所述的熔丝结构，其中位于熔丝任何一侧上的二个相邻的所述空洞之间的距离小于所述激光束的直径。

5．权利要求3所述的熔丝结构，其中二个相邻的所述熔丝链之间的最小间距决定于所述激光束的直径、在所述激光束下定位所述熔丝链的精度、以及所述激光束的能量和波长。

6．权利要求1所述的熔丝结构，其中所述半导体衬底被位于所述半导体衬底主表面上的绝缘层绝缘。

7．权利要求6所述的熔丝结构，其中所述绝缘层还包含所述绝缘衬底上的钝化层。

8．权利要求7所述的熔丝结构，其中所述熔丝链位于所述钝化层上。

9．一种与半导体衬底成一整体的熔丝结构，它包含：

与所述半导体衬底成一整体并由多个共平面熔丝链组成的熔丝组，各个所述熔丝链配备有延伸到所述熔丝链的宽度以外的共平面区域；以及

位于所述半导体衬底中并分散在围绕所述共平面区域的各对所述熔丝链之间的空洞。

10．权利要求9所述的熔丝结构，其中所述空洞延伸到所述共平面熔丝链确定的平面上方、下方或上方与下方二者。

11．权利要求9所述的熔丝结构，其中所述共平面区域交错排列。

12．权利要求9所述的熔丝结构，其中所述空洞是平行于所述熔丝链延伸的共平面区段，所述区段靠在各个所述熔丝链旁边纵向延伸。

13．权利要求12所述的熔丝结构，其中所述空洞还配备有接触所述纵向区段的横向区。

14．一种与对多个层叠的绝缘布线层提供支持的半导体衬底成一整体的熔丝结构，它包含：

与第一所述层叠绝缘布线层成一整体的包含至少二行共平面熔丝链的熔丝组；

与第二所述层叠绝缘布线层成一整体的位于沿横切所述至少二行熔丝链方向的方向上的导电总线；以及

位于所述至少二行熔丝链之间并沿平行于所述总线的方向延伸的导电材料部分。

15．权利要求14所述的熔丝结构，其中所述位于所述至少二行熔丝链之间的导电材料部分，其一端被固定到所述总线，形成电接触，从而对激光束引入的损伤提供裂缝挡板。

16．权利要求15所述的熔丝结构，其中所述裂缝挡板与所述总线分隔开。

17．权利要求15所述的熔丝结构，其中所述裂缝挡板延伸跨过所述衬底中的一个以上的所述绝缘布线层。

18．权利要求15所述的熔丝结构，其中所述裂缝挡板由难熔金属制成。

19．权利要求14所述的熔丝结构，其中各个所述熔丝链配备有延伸到所述熔丝链的宽度以外的共平面区域。

20．权利要求14所述的熔丝结构，其中所述位于所述至少二行熔丝链之间并沿平行于所述总线的方向延伸的导电材料部分，被空气间隙代替。

21．一种在集成电路中制作衬底表面上的熔丝结构的方法，它包括下列步骤：

提供与所述衬底成一整体的由多个平行的共平面熔丝链组成的熔丝组；以及

将空洞分散在各对所述熔丝链之间，所述空洞延伸到所述共平面熔丝链确定的平面以外。

22．一种在集成电路中制作与半导体衬底成一整体的熔丝结构的方法，它包括下列步骤：

提供与所述半导体衬底成一整体的由多个共平面熔丝链组成的熔丝组；各个所述熔丝链配备有延伸到所述熔丝链的宽度以外的共平面区域；以及

将空洞定位在所述半导体衬底中并分散在围绕所述共平面区域的各对所述熔丝链之间。

23．一种制作与对多个层叠的绝缘布线层提供支持的半导体衬底成一整体的熔丝结构的方法，它包括下列步骤：

为第一所述层叠绝缘布线层提供熔丝组，它包含至少二行共平面熔丝链；

为第二所述层叠绝缘布线层提供导电总线，它位于沿横切所述至少二行熔丝链方向的方向上；以及

将导电材料部分置于所述至少二行熔丝链之间并沿平行于所述总线的方向延伸。