[发明专利]形成无边框栅结构的方法和由此形成的装置

权利要求书

1.一种在晶体管中形成栅导体包覆的方法，包括以下步骤：

在具有半导体部分的衬底上形成栅导体的多晶硅部分；

掺杂多晶硅部分；

在半导体部分中掺杂多个扩散区域；以及

通过选择性氮化方法包覆栅导体。

2.根据权利要求1的方法，其中选择性氮化方法包括选择性氮化物淀积。

3.根据权利要求1的方法，其中选择性氮化方法包括选择性表面氮化。

4.根据权利要求2的方法，还包括形成深腐蚀的栅导体间隔层以露出栅导体的各角的步骤。

5.根据权利要求1的方法，其中掺杂多晶硅部分和掺杂多个扩散区域的步骤与选自化学掺杂和离子注入的一种方法同时进行。

6.根据权利要求1的方法，还包括在多晶硅部分和多个扩散区域中同时形成选择性金属硅化物。

7.根据权利要求1的方法，其中包覆栅导体的步骤还包括掩蔽栅导体上用于局部互连接触的接触区域。

8.根据权利要求1的方法，其中包覆栅导体的步骤还包括掩蔽栅导体上用于栅接触的接触区域。

9.根据权利要求2的方法，其中通过选择性氮化物淀积包覆栅导体的步骤包括在体积比例为10∶1的氨和硅烷中，0.1-760乇的压力下，用激光照射将形成在半导体部分上的结构，照射脉冲为10-1000个，能量流量为100-500mJ/cm²。

10.根据权利要求9的方法，其中通过选择性氮化物淀积包覆栅导体的步骤包括在体积比例为10∶1的氨和硅烷中，1-10乇的压力下，用308mm的激光照射将形成在半导体部分上的结构，照射脉冲为50-300个，能量流量为300mJ/cm²。

11.根据权利要求9的方法，其中以约100ccm/min供应氨，以约10ccm/min供应硅烷。

12.根据权利要求3的方法，其中通过选择性表面氮化包覆栅导体的步骤包括在存在氨的情况下，10-1500乇的压力下，用激光照射将形成在半导体部分上的结构，照射脉冲为100-2000个，能量流量为200-700mJ/cm²。

13.根据权利要求12的方法，其中通过选择性表面氮化包覆栅导体的步骤包括在存在氨的情况下，约1200乇的压力下，用308nm的激光照射将形成在半导体部分上的结构，照射脉冲约300个，能量流量为400-500mJ/cm²。

14.根据权利要求12的方法，其中以约100ccm/min供应氨。

15.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：

在具有半导体部分的衬底上形成栅导体的多晶硅部分；

掺杂多晶硅部分；

在半导体部分中掺杂多个扩散区域；

通过选择性氮化方法包覆栅导体；以及

形成到栅导体的无边框栅接触。

16.根据权利要求15的方法，其中选择性氮化方法包括选择性氮化物淀积。

17.根据权利要求15的方法，其中选择性氮化方法包括选择性表面氮化。

18.根据权利要求15的方法，其中包覆栅导体的步骤还包括掩蔽栅导体上用于局部互连和栅接触的接触区域。

19.根据权利要求16的方法，其中通过选择性氮化物淀积包覆栅导体的步骤包括在存在约100ccm/min的氨和约10ccm/min硅烷的情况下，1-10乇的压力下，用308nm激光照射将形成在半导体部分上的结构，照射脉冲为50-300个，能量流量为约300mJ/cm²。

20.根据权利要求17的方法，其中通过选择性表面氮化包覆栅导体的步骤包括在存在约100ccm/min的氨的情况下，约1200乇的压力下，用308nm激光照射将形成在半导体部分上的结构，照射脉冲约300个，能量流量为400-500mJ/cm²。