[发明专利]用于增强半导体化学－机械抛光过程中金属去除率的方法

权利要求书

1.一种在半导体晶片的化学-机械抛光期间用于增强金属阻挡层金属去除率的方法，它包括：

a)提供一种具有绝缘体层、在至少一部分绝缘体层上所形成的金属阻挡层和其上所形成的导电层的半导体晶片；和

b)使该半导体晶片与第一种含有增强金属去除量的至少一种螯合剂的化学-机械抛光浆进行接触。

2.权利要求1的方法，其中所述绝缘体层为SiO₂。

3.权利要求1的方法，其中所述金属阻挡层为Ti/TiN。

4.权利要求1的方法，其中所述导电层选自Al和Cu。

5.权利要求1的方法，其中所述螯合剂为一种氨基羧酸。

6.权利要求5的方法，其中所述氨基羧酸选自乙二胺四乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、次氮基三乙酸、N-二羟基乙基甘氨酸和亚乙基双(羟基苯基甘氨酸)。

7.权利要求1的方法，其中所述抛光浆含有约0.1％-约30％(重量)的螯合剂。

8.权利要求6的方法，其中所述抛光浆含有约0.1％-约30％(重量)的氨基羧酸。

9.权利要求1的方法，还包括使所述半导体晶片与第二种化学-机械抛光浆进行接触的步骤。

10.权利要求9的方法，其中第二种化学-机械抛光浆含有增强金属去除量的至少一种螯合剂。

11.权利要求10的方法，其中所述螯合剂为乙二胺四乙酸。

12.权利要求10的方法，其中所述抛光浆含有约0.1％-约30％(重量)的螯合剂。

13.一种在半导体晶片的化学-机械抛光期间用于增强金属阻挡层金属去除率的方法，它包括：

a)提供具有绝缘体层、金属阻挡层和其上所形成的导电层的半导体晶片；

b)使半导体晶片与第一种化学-机械抛光浆进行接触；和

c)使半导体晶片与第二种化学-机械抛光浆进行接触，第二种化学-机械抛光浆含有增强金属去除量的至少一种螯合剂。

14.权利要求13的方法，其中所述绝缘体层为SiO₂。

15.权利要求13的方法，其中所述金属阻挡层为Ti/TiN。

16.权利要求13的方法，其中所述导电层选自Al和Cu。

17.权利要求13的方法，其中所述螯合剂为一种氨基羧酸。

18.权利要求17的方法，其中所述氨基羧酸选自乙二胺四乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、次氮基三乙酸、N-二羟基乙基甘氨酸和亚乙基双(羟基苯基甘氨酸)。

19.权利要求13的方法，其中第二种抛光浆含有约0.1％-约30％(重量)的螯合剂。

20.在一种化学-机械抛光方法中，其中抛光浆施用于抛光垫片上并夹住半导体晶片与该抛光垫片接触，其改进包括：

将一种螯合剂掺入到抛光浆中。

21.权利要求20的方法，其中所述螯合剂为一种氨基羧酸。

22.权利要求21的方法，其中所述氨基羧酸选自乙二胺四乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、次氮基三乙酸、N-二羟基乙基甘氨酸和亚乙基双(羟基苯基甘氨酸)。