[发明专利]DC/DC变换器的自驱动电路

权利要求书

1.一种DC/DC变换器的自驱动电路，所述变换器的整流部分包括第一及第二同步整流MOS晶体管(SR₁)和(SR₂)，其特征在于，所述自驱动电路由第一电阻(Ra)、第一电容(Ca)、第一晶体管(Qa)及所述第一二极管(Da)组成，所述第一电阻(Ra)和第一电容(Ca)并联连接，其并联的一端与所述第一绕组(Ns)的正极连接，另一端与所述第一晶体管(Qa)的基极相连；所述第一晶体管(Qa)的发射极与所述第一同步整流MOS晶体管(SR₁)的源极相连，而其集电极与所述第一二极管(Da)的阴极和第二同步整流MOS晶体管(SR₂)的门极相连；所述第一二极管(Da)的阳极与所述第一绕组(Ns)的负极相连，而其阴极与所述第二同步整流MOS晶体管(SR₂)的门极相连。

2.一种DC/DC变换器的自驱动电路，所述变换器的整流部分包括第一及第二同步整流MOS晶体管(SR₁)和(SR₂)，其特征在于，所述自驱动电路由第一电阻(Ra)、第一二极管(Da)、小功率MOS晶体管(Sa)、一个延时驱动电路和一个隔离微分电路组成，所述第一二极管(Da)的阳极与第一绕组(Ns)的负端及第一同步整流MOS晶体管(SR₁)的漏极连接，其阴极通过第一电阻(Ra)和所述第一同步整流MOS晶体管(SR₁)的门极及小功率MOS晶体管(Sa)的漏极相连；所述延时驱动电路的一端和隔离微分电路的一端相连；所述隔离微分电路的另一端与所述小功率MOS晶体管(Sa)的门极相连。

3.按照权利要求2所述的自驱动电路，其特征在于，所述隔离微分电路可以由第三及第四变压器绕阻(Npa)、(Nsa)、二个电容、二个电阻和一个二极管构成，所述第四变压器绕组(Nsa)通过所述电容与并联的所述电阻和二极管相连。

4.根据权利要求2所述的自驱动电路，其特征在于，所述延时驱动电路由延时电路和驱动电路构成，其中，所述延时电路的通过将二极管与电阻并联后，再与接地电容串联而构成。

5.按照权利要求1或2所述的自驱动电路，其特征在于，所述第二同步整流MOS晶体管(SR₂)的关断能先于第一同步整流MOS晶体管(SR₁)的导通。

6.根据权利要求1或2所述的DC/DC变换器的自驱动电路，其特征在于，所述DC/DC变换器是三绕组(Nc、Np、Ns)去磁正激变换器，第二绕组(Np)的负极端与第一功率MOS管(S)的漏极相连，所述延时驱动电路的一端和隔离微分电路的一端相连，另一端与所述第一功率MOS管(S)的门极相连。

7.根据权利要求1或2所述的DC/DC变换器的自驱动电路，其特征在于，所述DC/DC变换器是谐振箝位正激变换器，第二绕组(Np)与第三电容(Cc)并联后与第一功率MOS管(S)的源极相连，所述延时驱动电路的一端和隔离微分电路的一端相连，另一端与所述第一功率MOS管(S)的门极相连。

8.根据权利要求1或2所述DC/DC变换器的自驱动电路，其特征在于，所述变换器是二极管箝位双正正激变换器，第二绕组(Np)的正极与第二功率MOS管(S₁)的源极相连，第二绕组(Np)的负极与第三功率MOS管(S₂)的漏极相连，第二二极管(D₁)的阳极与第二绕组(Np)的负极连接，阴极与第二功率MOS管(S₁)的漏极连接，第三二极管(D₂)的阳极与第三功率MOS管(S₂)的源极连接，阴极与第二绕组(Np)的正极连接，所述延时驱动电路的一端和隔离微分电路的一端相连，另一端与所述第二及第三功率MOS管(S₁)、(S₂)的门极分别相连。

9.根据权利要求1或2所述DC/DC变换器的自驱动电路，其特征在于，所述变换器是谐振箝位双正激变换器，第二绕组(Np)的正极与第二功率MOS管(S₁)的源极相连，第二绕组(Np)的负极与第三功率MOS管(S₂)的电极漏极相连，第三电容(Cc)与第二绕组(Np)并联，其两端分别与第二绕组(Np)的正极和负极连接，所述延时驱动电路的一端和隔离微分电路的一端相连，另一端与所述第二及第三功率MOS管(S₁)、(S₂)的门极分别相连。