[实用新型]智能卡门锁

说明书

本实用新型涉及一种智能卡控制的电子锁，更具体地说是关于智能卡门锁的。目前，在智能卡门锁的驱动电路中，普遍采用一个开关电路，将负载接入电源，待开(关)门动作完成后将电源切断。这种电路工作时，由于电机、电磁铁将从电源吸取较大的电流，会造成电源电压下降，对干电池供电的门锁影响尤为严重，同时还会给电路带来干扰，使电路的可靠性下降。

本实用新型的目的是克服现有技术中的缺点，提供一种能延长电源供电时间，提高整个门锁系统可靠性的智能卡门锁。

本实用新型的目的可以通过下述的技术方案予以实现。

本实用新型的智能卡门锁由CPU、控制电路和门锁机构组成。CPU和I/O端为控制电路提供开、关门的控制信号，控制电路产生驱动信号驱动门锁机构的电机来完成开、关门动作。控制电路由开门电路和关门电路组成，开、关门电路为对称电路连接。开门电路由晶体三极管Q3、电容C3、结型场效应管Q1和光电耦合器O2组成；晶体三极管Q3的发射极与电源V_CC相连接，其集电极与电容C3的阳极及场效应管Q1的漏极相连接，晶体三极管Q3的集电极与基极之间串接有电阻R3、R4，电阻R3与R4的连接处与电源V_CC之间跨接有电容C2，电容C3的阴极与场效应管Q2的源极相连接并作为控制电路的一个输出端与门锁机构的电机连接，为门锁机构的电机提供开门驱动信号。在电容C3的阴阳与地线之间串接有逆止元件D1，光电耦合器O2的光电管侧一路接场效应管的控制极，另一路接电源V_CC，发光管侧一路通过电阻R7与+5V稳压电源相联，另一路接CPU的I/O控制端，在场效应管Q1的源极和控制极间跨接有电阻R5。场效应管Q2、晶体三极管Q4、电容C4、光电耦合器O1、电容C1、逆止元件D2、电阻R1、R2、R3、R6、R8采用与开门电路相同的连接方法形成了关门电路。

电源V_CC可采用6V、9V或12V几个标准的干电池。

电容C3、C4的容值范围为3200μF～3500μF，电容C1、C2的容值范围为47μF～470μF，电阻R1、R2、R3、R4的阻值范围为4.7KΩ～200KΩ，R5、R6的阻值范围为100KΩ～500KΩ，R7、R8的阻值范围为：100Ω～500Ω。

下面结合附图对本实用新型做进一步说明。

附图为本实用新型控制电路的电路图。

图中：Q1、Q2为结型场效应管，Q3、Q4为晶体三极管，C3、C4为容值较大的电容，O1、O2为光电耦合器，D1、D2为逆止元件，C1、C2为电容，R1～R8为电阻。晶体三极管Q3与电阻R3、R4和电容C2构成电容C3的充电电路；晶体管Q4与电容C1、电阻R、R2构成电容C4的充电电路；光电耦合器O1、O2的输入端接CPU的I/O输出端，接收CPU发出的开、关门控制信号，用于控制场效应管Q1、Q2的工作状态，同时将CPU与控制电路隔离开来。场效应管Q1、Q2工作时，分别接收C3、C4电容放电，通过源极给门锁机构的电机提供驱动电流完成开、关门的动作。具体工作过程是：当CPU通过I/O端发出开门信号时，光电耦合器O1饱和导通，场效应管Q1饱和导通，电容C3通过场效应管Q1向门锁机构的电机放电，电机正转打开门闩。开门后，场效应管Q1、光电耦合器O1截止，晶体三极管Q3向C3充电为下一次动作做好准备。当CPU发出关门信号时，光电耦合器O2和场效应管Q2饱和导通，电容C4通过场效应管Q2向门锁机构的电机放电、电机反转关门闩；关门后，场效应管Q2和光电耦合器O2截止，晶体三极管Q4向电容C4充电为下次动作做好准备。

本实用新型与现有技术相比具有如下优点：

由于在控制电路中增加了以容值较大的电容C3、C4为核心的储能结构，使电机的用电高峰与CPU用电高峰错开，避免了电源干扰，同时光电耦合器O1、O2将CPU与控制电路隔开，减少了电路信号干扰，因而提高了整个门锁系统的可靠性，延长了电池的使用寿命。

使用现有技术的智能卡门锁，整机工作电流200mA左右，开关门动作5000次即出现偶然不开门或不关门现象。而用本实用新型的智能卡门锁，用同一牌号新的碱性电池，工作电流仅60mA，开关门动作连接可达1万次以上而不会出现不开门、不关门现象。