[实用新型]改良结构的高密度扩充槽

说明书

本实用新型涉及一种线路连接器，尤其涉及一种改良结构的高密度扩充槽。

现今电脑主机板所用的存储器模组是以SIMM、DIMM、RIMM模组为主流，其中以RIMM存储器模组更是未来发展的趋势，其主要原因是近几年来，个人电脑的发展速度惊人，现阶段的主流已经发展到以133MHZ为工作频率的阶段了，相对在系统中的主存储体部分必须也是非常快的存储体，以适合于133MHZ的工作频率。

但是，一旦CPU的工作速度变快了，储存体模组会因工作速度高而产生杂音等干扰，因此对于CPU信号传输的干扰必须相当的注意；再者，现在的扩充槽为适应电脑内部空间设计要求越来越细的潮流，因此必须不断提高端子的密度，及缩小扩充槽本体及端子的设计尺寸，所以，每一支端子彼此间的干扰(交吵)情形会变得更加严重，因此造成了设计上必须克服的主要问题。

一般产生交吵干扰的主要原因，是因为根据物理学弗来明右手定律，当电流直线流动时，会产生一个以该电流流动方向为中心的环型磁场，因此一个端子在传送信号时，也会产生一个以该端子的直线方向为中心的环型磁场，所以，如果端子排列距离过于接近，或者交错在一起，或者电流流动方向为同方向，则每一支端子的磁场就会过于接近而相互干扰。因此产生了严重的交吵现象。如果要避免交吵的现象，就必须避免端子彼此相互交错在一起，并应该使端子彼此之间的距离尽量加大，及使内、外接触端子的接收电流为相反的流动方向，然而习用的扩充槽结构无法达到上述的要求。

本创作人有鉴于此，积多年从事相关产品制造销售的经验，并经不断试验改良，终于研制成功本实用新型。

本实用新型的主要目的在于，提供一种改良结构的高密度扩充槽，其可有效降低端子交吵干扰，以提升信号传输的稳定性。

为了进一步了解本实用新型的特征及技术内容，兹举一实施例并结合附图详细说明如下：

本实用新型的目的是由以下技术方案实现的。

一种改良结构的高密度扩充槽，其包括有由不导电材料制成的一本体，其中央沿纵轴方向设置有一个插槽，以供一存储器模组插置于其中，该插槽是由二个相对的侧壁所构成，该二侧壁设置有多个相对的容置槽，其特征在于，该容置槽由多个开放式容置槽及封闭式容置槽所构成，并以间隔方式相互配置，该开放式容置槽的内侧设有一开口，位于开口后端开设有一容置空间，容置空间的后端设有一顶持空间；设置于多个开放式容置槽中的外接触端子；设置于多个封闭式容置槽中的内接触端子。

本实用新型的目的还可以通过以下技术措施来进一步实现。

前述的改良结构的高密度扩充槽，该外接触端子设有一隆起部，该隆起部伸出于开口外，该隆起部的尾端向上延伸有一顶部，于顶部向外延伸有翼部，该翼部可钩住于容置空间的壁面上，该顶部的尾端向下延伸有一中间部，该中间部从容置空间弯向顶持空间，于中间部的尾端向下延伸有一基部，该基部向下延伸有一外接脚。

前述的改良结构的高密度扩充槽，该内接触端子设有一顶部，该顶部的尾端设有向内弯曲的隆起部，而该隆起部形成一大弯度进入插槽，该隆起部的尾端向下延伸有一基部，该基部向下延伸有一内接脚。

前述的改良结构的高密度扩充槽，该封闭式容置槽的内侧设有一支撑板，于支撑板的下方设有一槽口。

前述的改良结构的高密度扩充槽，该封闭式容置槽的内侧下方设有适当长度的夹持槽。

前述的改良结构的高密度扩充槽，该开放式容置槽的容置空间的宽度较开口宽。

前述的改良结构的高密度扩充槽，该开放式容置槽的顶持空间的宽度较容置空间小。

前述的改良结构的高密度扩充槽，该顶持空间的壁面下方设有适当长度的夹持槽。

前述的改良结构的高密度扩充槽，该外接触端子的基部两侧设有数个突刺。

前述的改良结构的高密度扩充槽，该内接触端子的基部两侧设有数个突刺。

本实用新型的具体结构由以下实施例及其附图详细给出。

图1是本实用新型的组合立体示意图。

图2是本实用新型的分解立体示意图。

图3是本实用新型本体的立体示意图。

图4是图1中沿4-4方向所作的剖面图。

图5是图1中沿5-5方向所作的剖面图。

图6是本实用新型的俯视图。

图7是本实用新型的仰视图。

请参阅图1至图7所示，本实用新型包括；一本体10，是利用不导电材料制成，其中央沿纵轴方向设置有一个插槽11，以供一存储器模组插置于其中，该插槽11由二个相对的侧壁12所构成，该二侧壁12设置有多个相对的封闭式容置槽13及开放式容置槽14，并以间隔方式相互配置，该封闭式容置槽13及开放式容置槽14从底部贯穿至顶端。