[实用新型]常闭型槽形栅静电感应器件

权利要求书

1.一种常闭型槽形栅静电感应器件，包括下层为低阻层、上层为N-型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、基区、栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层，N+型源区在硅衬底片的上表面，硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽，每条槽的底部是P+型栅区，硅衬底片的下层低阻层是漏区，漏区的下面是漏电极金属层，其特征在于：

所述源区的上面连接掺磷多晶硅层，该掺磷多晶硅层与源电极金属层连接；

所述每条槽的底面和侧面覆盖绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面；

所述相邻的两个P+型栅区之间，在硅衬底片上表面绝缘层与硅衬底片上表面N+型源区的下面有一个P型基区，P型基区的深度比P+型栅区的深度浅。

2.如权利要求1所述的常闭型槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述每条槽的底面、侧面和上表面的绝缘层上连接掺磷多晶硅层。

3.如权利要求1所述的常闭型槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述硅衬底片的上层N-高阻层分为两层，靠上面一层的电阻率高于靠下面一层。

4.如权利要求1所述的常闭型槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述硅衬底片下层低阻层漏区为P+型漏区。

5.如权利要求1所述的常闭型槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述硅衬底片下层低阻层漏区为N+型漏区。

6.如权利要求1所述的常闭型槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述槽的深度为2～5微米。

7.如权利要求1所述的常闭型槽形栅静电感应器件，其特征在于：所述两条相邻槽的间距是4～20微米。