[实用新型]硅－金属双层结构薄膜热电堆

权利要求书

1、一种硅——金属薄膜热电堆，包括单晶硅片衬底、硅片衬底一面上的单层或多层绝缘过渡层、绝缘过渡层上的组成若干对热电偶元件的金属薄膜条和多晶硅薄膜条、金属薄膜条和多晶硅薄膜条二端的欧姆接触测量结点和串联参考结点、外引线输出端脚和单晶硅片衬底另一面的测量区空穴腔，其特征在于有设置在单层或多层绝缘隔离层二边，上下分别隔离叠置，组成热电偶元件的L形或J形金属薄膜条和J形或L形多晶硅薄膜条。

2、根据权利要求1所述的硅——金属双层结构薄膜热电堆，其特征在于单层或多层绝缘隔离层上有连结上下叠置在隔离绝缘层二边，组成热电偶元件的L形或J形金属薄膜条和J形或L形多晶硅薄膜条二端的窗孔和窗孔中测量结点和串联参考结点的欧姆接触层。

3、根据权利要求1或2所述的硅——金属双层结构薄膜热电堆，其特征在于上下叠置在隔离绝缘层二边，组成热电偶元件的L形金属薄膜条对应J形多晶硅薄膜条或J形金属薄膜条对应L形多晶硅薄膜条。

4、根据权利要求1所述的硅——金属双层结构薄膜热电堆，其特征在于上下叠置在隔离绝缘层二边，组成热电偶元件的L形或J形金属薄膜条和J形或L形多晶硅薄膜条一端欧姆接触测量结点位于空穴腔上面的边框上。

5、根据权利要求1所述的硅——金属双层结构薄膜热电堆，其特征在于L形或J形金属薄膜条可设置在单层或多层绝缘隔离层的上面或下面，其对应的J形或L形多晶硅薄膜条设置在单层或多层绝缘隔离层的下面或上面。

6、根据权利要求1或5所述的硅——金属双层结构薄膜热电堆，其特征在于位于单层或多层绝缘过渡层的上面，单层或多层绝缘隔离层下面的L形或J形金属薄膜条或J形或L形多晶硅薄膜条条间有绝缘介质。

7、根据权利要求1所述的硅——金属双层结构薄膜热电堆，其特征在于热电堆输出端可连接热电堆中单晶硅衬底上的补偿电路或外接补偿电路。