[实用新型]高均匀度强磁场发生器无效
申请号: | 99234254.6 | 申请日: | 1999-10-18 |
公开(公告)号: | CN2404197Y | 公开(公告)日: | 2000-11-01 |
发明(设计)人: | 杨德泉 | 申请(专利权)人: | 湖南计算机股份有限公司 |
主分类号: | H01F5/00 | 分类号: | H01F5/00;H01F13/00 |
代理公司: | 长沙市专利事务所 | 代理人: | 颜勇 |
地址: | 410007 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 均匀 磁场 发生器 | ||
【权利要求书】:
高均匀度强磁场发生器,包括箱体1、线圈2、3、4、5、转台6,其特征在于箱体1呈矩形,线圈2、3、4、5相互串联,结构相同且同轴平行设置于箱体1内,在线圈2、3、4、5的轴线上设有一可供承载被测器件的转台6,且线圈3、4之间的间距为线圈半径的0.4864倍,线圈2、5之间的间距为线圈半径的1.8814倍,线圈2、3或4、5的匝数比为2.2606。
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