[实用新型]通讯设备过压过流保护用半导体管无效
| 申请号： | 99238907.0 | 申请日： | 1999-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN2398728Y | 公开（公告）日： | 2000-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王晓昀 | 申请（专利权）人： | 王晓昀 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 珠海市专利事务所 | 代理人： | 张静华 |
| 地址： | 519001 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通讯设备 保护 半导体 | ||
【权利要求书】：
1、通讯设备过压过流保护用半导体管，由N型硅衬底、P+、P-型扩散区、N+型扩散区和双介质绝缘膜保护层以及多元金属化电极系统构成，其特征在于：衬底上下两面有对称的P型区，且P区形成高低结，P区内的N+区是转动180°的对称分布，N+区内有规则排列的短路点，金属化电极以外的表面有起保护作用的双介质绝缘膜。
2、如权利要求1所述的通讯设备过压过流保护用半导体管，其特征在于：多元金属化电极系统是三元金属化电极系统，即Cr-Ni-Ag系统。
3、如权利要求1所述的通讯设备过压过流保护用半导体管，其特征在于：N型硅衬底的厚度可为250--399μm。
4、如权利要求1所述的通讯设备过压过流保护用半导体管，其特征在于：P+区的深度为5--20μm。
5、如权利要求1所述的通讯设备过压过流保护用半导体管，其特征在于：N+区中的短路点可为直径等于60--120μm的圆。
6、如权利要求1所述的通讯设备过压过流保护用半导体管，其特征在于：各短路点间距为80--150μm。
7、如权利要求1所述的通讯设备过压过流保护用半导体管，其特征在于：双介质绝缘层的厚度为1--2μm。
8、如权利要求1所述的通讯设备过压过流保护用半导体管，其特征在于：金属化电极的厚度为1--3μm。
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