[发明专利]有源矩阵衬底,电光转换装置,有源矩阵衬底的制造方法以及电子仪器

权利要求书

1.一种有源矩阵衬底，在衬底上形成具有像素电极和连接该像素电极的开关元件的像素单元，在该像素单元周围用于控制上述开关元件的周边电路，以及电连接上述周边电路的外部连接端子，其特征在于：

在上述衬底上除去上述像素单元的区域中的至少一部分上形成防止带电用的导电层。

2.如权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

在上述衬底上除去上述像素单元的区域中，仅在不形成布线的无布线部分的上层一侧形成上述导电层。

3.如权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

在上述衬底上除去上述像素单元的区域中，仅在形成施加直流电压的布线区域的上层一侧形成上述导电层。

4.如权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

在上述衬底上除去上述像素部分的区域中，仅在形成图像显示时施加直流电压的布线的区域上层一侧形成上述导电层。

5.如权利要求1～4的任一项所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

上述防止带电用的导电层形成为露出上述衬底的表面。

6.如权利要求1～5的任一项所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

上述防止带电用的导电层至少形成在上述衬底的外周缘。

7.如权利要求1～7的任一项所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

在上述外部连接用端子之间形成分别沿着相反方向配置了两组二极管列的静电保护电路。

8.如权利要求1～7的任一项所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

上述各外部连接用端子和上述防止带电用的导电层借助分别沿着相反方向配置了两组二极管列的静电保护电路相互连接。

9.如权利要求7或8所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

上述开关元件以及上述周边电路用薄膜晶体管构成，在上述静电保护电路中构成二极管列的二极管连接的薄膜晶体管的沟道长度长于连接上述像素的上述薄膜晶体管以及形成在上述周边电路中的上述薄膜晶体管的沟道长度。

10.如权利要求7～9的任一项所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

在上述薄膜晶体管上连接着扫描线和数据线，

在上述周边电路中，至少包括用于借助上述薄膜晶体管把应加入到上述像素电极的图像信号输出到数据线的数据线驱动电路，用于把控制上述薄膜晶体管的选择/非选择状态的扫描信号输出到扫描线的扫描线驱动电路，

在上述二极管连接的多个外部连接用端子中，包含电连接到上述数据线驱动电路的外部连接用端子，和电连接到上述扫描线驱动电路的外部连接用端子。

11.如权利要求1～10的任一项所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

上述防止带电用的导电层用与上述像素电极或者上述外部连接用端子的任一方相同的材料形成。

12.如权利要求11所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

上述防止带电用的导电层用Al，Ti，Ta，Cr或者它们的合金形成。

13.如权利要求11所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

上述防止带电用的导电层用透明导电膜形成。

14.如权利要求13所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

上述透明导电膜用铟锡氧化膜形成。

15.如权利要求1～14的任一项所述的有源矩阵衬底，其特征在于：

上述薄膜晶体管的有源区用多晶硅膜形成。

16.一种电光转换装置，其特征在于具有：

在权利要求1～15的任一项中规定的有源矩阵衬底，对于该有源矩阵衬底隔开预定的间隔相对的对置衬底，在该对置衬底与上述有源矩阵衬底的缝隙之间封入的电光转换物质。

17.一种有源矩阵衬底的制造方法，为权利要求1～15的任一项中规定的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于：

在对于大型衬底作为上述有源矩阵衬底划分出的多个面板区的每一个上形成了上述像素单元，上述周边电路，上述端子部分以及上述防止带电用的导电层以后，把该多个面板区从上述大型衬底切割出来作为上述有源矩阵衬底。