[发明专利]应用羧酸羟铵除去耐蚀膜和蚀刻残余物的组合物和方法

权利要求书

1.一种从基片除去光刻胶和光刻胶残余物的组合物，该组合物包括：

(a)2.5wt％～40wt％羟胺；

(b)2.5wt％～40wt％水；

(c)0.1wt％～25wt％具有四个或更少的碳原子的一元羧酸或二元

   羧酸；以及

(d)10wt％～90wt％选自下组的有机溶剂：烷基亚砜、烷基砜和吡

   咯烷酮。

2.权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂选自：二甲亚砜、环丁砜、n-羟乙基吡咯烷酮和n-甲基吡咯烷酮。

3.权利要求1的组合物，其中羟胺的存在量是10wt％～20wt％，水的存在量是10wt％～20wt％，所述有机溶剂的存在量是40wt％～80wt％。

4.权利要求3的组合物，其中所述酸存在的量足以将pH降到8以下，此时的pH是在19∶1体积稀释的水中测定的。

5.权利要求4的组合物，其中所述酸存在的量足以引起pH为6～7.5，此时的pH是在19∶1稀释的水中测定的。

6.权利要求2的组合物，其中羟胺的存在量是10wt％～20wt％，水的存在量是10wt％～20wt％，并且所述有机溶剂的存在量是40wt％～80wt％。

7.权利要求6的组合物，其中所述酸存在的量足以将pH降到8以下，此时的pH是在19∶1体积稀释的水中测定的。

8.权利要求8的组合物，其中所述酸存在的量足以引起pH为6～7.5，此时的pH是在19∶1稀释的水中测定的。

9.一种从基片除去光刻胶和光刻胶残余物的组合物，该组合物基本上包括：

(a)10wt％～20wt％羟胺；

(b)10wt％～20wt％水；

(c)0.1wt％～25wt％具有四个或更少的碳原子的一元羧酸或二元

   羧酸，其中所述酸存在的量足以引起pH为6～7.5，此时的

   pH是在19∶1稀释的水中测定的；以及

(d)40wt％～80wt％选自下组的有机溶剂：二甲亚砜、环丁砜、n-

   羟乙基吡咯烷酮和n-甲基吡咯烷酮。

10.一种从基片除去光刻胶和光刻胶残余物的方法，该方法包括将所述基片与溶脱液接触达足以从所述基片除去光刻胶或残余物的时间，其中所述溶脱液包括：

(a)2.5wt％～40wt％羟胺；

(b)2.5wt％～40wt％水；

(c)0.1wt％～25wt％具有四个或更少的碳原子的一元羧酸或二元

   羧酸；以及

(d)10wt％～90wt％选自下组的有机溶剂：烷基亚砜、烷基砜和吡

   咯烷酮。

11.权利要求10的方法，其中所述有机溶剂选自：二甲亚砜、环丁砜、n-羟乙基吡咯烷酮和n-甲基吡咯烷酮。

12.权利要求10的方法，其中羟胺的存在量是10wt％～20wt％，水的存在量是10wt％～20wt％，并且所述有机溶剂的存在量是40wt％～80wt％。

13.权利要求12的方法，其中所述酸存在的量足以将pH降到8以下，此时的pH是在19∶1体积稀释的水中测定的。

14.权利要求13的方法，其中所述酸存在的量足以引起pH为6～7.5，此时的pH是在19∶1稀释的水中测定的。

15.权利要求11的方法，其中羟胺的存在量是10wt％～20wt％，水的存在量是10wt％～20wt％，并且所述有机溶剂的存在量是40wt％～80wt％。

16.权利要求15的方法，其中所述酸存在的量足以将pH降到8以下，此时的pH是在19∶1体积稀释的水中测定的。

17.权利要求16的方法，其中所述酸存在的量足以引起pH为6～7.5，此时的pH是在19∶1稀释的水中测定的。

18.一种从基片除去光刻胶和光刻胶残余物的方法，该方法包括将所述基片与溶脱液接触达足以从所述基片除去光刻胶或残余物的时间，其中所述溶脱液基本上包括：

(a)10wt％～20wt％羟胺；

(b)10wt％～20wt％水；

(c)0.1wt％～25wt％具有四个或更少的碳原子的一元羧酸或二元

   羧酸，其中所述酸存在的量足以引起pH为6～7.5，此时的

   pH是在19∶1稀释的水中测定的；以及

(d)40wt％～80wt％选自下组的有机溶剂：二甲亚砜、环丁砜、n-

   羟乙基吡咯烷酮和n-甲基吡咯烷酮。