[发明专利]抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备

权利要求书

1．清洁处理半导体衬底的清洁处理溶液，其包括：第1种适量的去离子水；第2种适量的有机酸；第3种适量的铵化合物；其中，混合所述的去离子水，所述的有机酸和所述的铵化合物，产生酸性PH条件。

2．按照权利要求1所述的清洁处理溶液，其中所述的酸性PH条件是缓冲酸性PH条件。

3．按照权利要求1所述的清洁处理溶液，其中所述的酸性PH条件的PH值约为1-6。

4．按照权利要求1所述的清洁处理溶液，其中，在所述的第1种适量的去离子水中溶解所述的第2种适量的有机酸，使第2种适量的有机酸具有按照重量比约为100ppm-2％的浓度范围。

5．按照权利要求1所述的清洁处理溶液，其中，在所述的第1种适量的去离子水中溶解所述的第2种适量的有机酸，使第2种适量的有机酸具有按照重量比约为200ppm到0.1％的浓度范围。

6．按照权利要求1所述的清洁处理溶液，其中，在所述的第1种适量的去离子水中溶解所述的第3种适量的铵化合物，使所述的第3种适量的铵化合物具有按照重量比约为100ppm到0.1％的浓度范围。

7．按照权利要求1所述的清洁处理溶液，其中所述的第2种适量的有机酸可以选自柠檬酸、苹果酸、丙二酸、琥珀酸及其任意组合。

8．按照权利要求1所述的清洁处理溶液，其中所述的第3种适量的铵化合物可以选自氢氧化铵(NH₄OH)、氯化铵(NH₄CL)、氟化铵(NH₄F)及其任意组合。

9．清洁处理半导体衬底的清洁处理溶液，其包括：

第1种适量的去离子水；

第2种适量的有机铵盐；

第3种适量的氯化物；

其中，混合所述的去离子水、所述的有机铵盐以及所述的氯化物，产生酸性PH条件。

10．按照权利要求9所述的清洁处理溶液，其中所述的酸性PH条件是缓冲酸性PH条件。

11．按照权利要求9所述的清洁处理溶液，其中所述的酸性PH条件的PH值约为2-4。

12．按照权利要求9所述的清洁处理溶液，其中，在所述的第1种适量的去离子水中溶解所述的第2种适量的有机铵盐，使所述的第2种适量的有机铵盐具有按照重量比约为200ppm到0.2％的浓度范围。

13．按照权利要求9所述的清洁处理溶液，其中，在所述的第1种适量的去离子水中溶解所述的第3种适量的氯化物，使所述的第3种适量的氯化物具有按照重量比约为0.1％到1％的浓度范围。

14．按照权利要求9所述的清洁处理溶液，其中所述的第三种适量的氯化物可以选自氯化氢、氯化铵及其任意组合。

15．清洁处理半导体衬底的清洁处理溶液，其包括：第1种适量的去离子水；第2种适量的阴离子表面活化剂；第3种适量的有机酸；其中，混合所述的去离子水、所述的阴离子表面活化剂和所述的有机酸，产生酸性PH条件。

16．按照权利要求15所述的清洁处理溶液，其中所述的酸性PH条件是缓冲酸性PH条件。

17．按照权利要求15所述的清洁处理溶液，其中所述的酸性PH条件的PH值范围约为2-4。

18．按照权利要求15所述的清洁处理溶液，其中，在所述的第1种适量的去离子水中溶解所述的第2种适量的阴离子表面活化剂，使所述的第2种适量的阴离子表面活化剂具有按照重量比约为50ppm到0.2％的浓度范围。

19．按照权利要求15所述的清洁处理溶液，其中，在所述的第1种适量的去离子水中溶解所述的第3种适量的有机化合物，使所述的第3种适量的有机化合物具有按照重量比约为0.1％到1％的浓度范围。

20．按照权利要求15所述的清洁处理溶液，其中所述的第3种有机化合物可以选自柠檬酸、苹果酸、丙二酸、琥珀酸及其任意组合。

21．半导体衬底污染物的清除方法，其包括：把具有经过抛光的铜层的半导体衬底放入刷洗装置；在包含有去离子水、有机酸以及铵化合物的酸性清洁处理溶液中刷洗所述的半导体衬底。