[发明专利]受限型电子场致发射器件及其制造工艺

权利要求书

1．一种微电子场致发射器件，具有设置于腔室中的发射体和阳极、栅电极和绝缘膜，所述器件的特征在于：

设置所述绝缘膜以防止在所述发射体和所述栅电极之间流过DC电流。

2．一种微电子场致发射器件，具有设置于腔室中的发射体和阳极，该器件还包括：

栅电极和绝缘膜，设置所述绝缘膜以防止在所述发射体和所述栅电极之间流过DC电流。

3．一种微电子场致发射器件，包括：

a)衬底；

b)与所述衬底邻接的腔室；

c)在所述腔室内的发射体，所述发射体平行于所述衬底设置；

d)在所述腔室内的阳极，设置所述阳极以接收从所述发射体发射的电子；

e)栅电极；

f)对所述发射体、所述栅电极和所述阳极施加偏置电压的装置，该偏置电压足以引起从所述发射体到所述阳极的电子场致发射；和

g)绝缘膜，设置所述绝缘膜以防止在所述发射体和所述栅电极之间流过DC电流。

4．如权利要求1所述的微电子器件，其中在所述栅电极与所述腔室之间设置所述绝缘膜。

5．如权利要求1所述的微电子器件，其中所述绝缘膜包括对于工作范围内的入射电子能量其二次电子发射的产生率低于1的材料。

6．如权利要求1所述的微电子器件，其中所述绝缘膜包括具有约大于4的介电常数的材料。

7．如权利要求1所述的微电子器件，其中所述绝缘膜包括第一层和第二层，其中

ⅰ)所述第一层是选择的相对于所述第二层有较高介电常数的材料，和 

ⅱ)所述第二层是选择的相对于所述第一层有较低二次电子产生率的材料，设置所述第二层以形成所述腔室的内表面。

8．如权利要求1所述的微电子器件，其中所述绝缘膜包括

从由氮化硅、氧化铝、碳化钛、碳化钨、二硼化钒、二硼化钛、钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡和氧化钽组成的组中选择的物质。

9．如权利要求1所述的微电子器件，包括多个所述栅电极。

10．如权利要求1所述的微电子器件，还包括向所述栅电极施加控制信号的装置。

11．如权利要求1所述的微电子器件，还包括向所述栅电极施加抽取电压的装置。

12．如权利要求1所述的微电子器件，其中所述绝缘膜是透明的。

13．如权利要求1所述的微电子器件，所述腔室具有内表面，其中所述绝缘膜设置在所述腔室的所述内表面和所述栅电极之间。

14．如权利要求1所述的微电子器件，所述腔室具有内表面，其中所述绝缘膜形成所述腔室的所述内表面的至少一部分。

15．如权利要求1所述的微电子器件，其中所述阳极包括用于形成显示器件的荧光体。

16．如权利要求1所述的微电子器件，其中所述栅电极包括透明导电材料。

17．如权利要求3所述的微电子器件，还包括多个栅电极。

18．如权利要求7所述的微电子器件，其中所述第一层具有大于4的介电常数，所述第二层对于工作范围内的入射电子能量具有低于1的二次电子发射的产生率。

19．一种微电子场致发射器件，包括：

a)发射电子的发射体，所述发射体设置在封闭的腔室内；

b)设置在所述封闭腔室内用于接收从所述发射体发射的所述电子的阳极；

c)栅电极；和

d)绝缘体，设置所述绝缘体以阻塞在所述发射体和所述栅电极之间每一种可能的通路，防止在所述发射体和所述栅电极之间流过DC电流。

20．如权利要求19所述的微电子器件，其中所述封闭的腔室具有内表面，和所述绝缘体形成所述腔室的所述内表面的至少一部分。