[发明专利]尤其用于磁或磁光记录的磁蚀刻方法有效
| 申请号： | 99802656.5 | 申请日： | 1999-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1289442A | 公开（公告）日： | 2001-03-28 |
| 发明（设计）人： | C·查普特;H·伯纳斯;J·费雷 | 申请（专利权）人： | 国家科研中心 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;G11B11/10;H01P11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 尤其 用于 记录 蚀刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1．磁蚀刻方法，其特征在于，薄层材料是被可控地进行辐射以便在微米数量级或更小的宽度区域上局部地改变所述材料的磁性特性，例如尤其是其矫顽磁性、其磁性各向异性或其居里温度。
2．权利要求1的方法，其特征在于辐射借助离子来进行。
3．权利要求2的方法，其特征在于辐射是通过穿过一个树脂掩模来进行的。
4．权利要求2的方法，其特征在于辐射通过聚焦离子束进行。
5．前面权利要求中任一项的方法，其特征在于由辐射蚀刻的层隐藏在其它层下面。
6．用于磁性或磁光记录二进制信息的方法，尤其是用于松散磁性材料、磁性记录电路或可磁性控制的逻辑电路的生产方法，其特征在于采用前面权利要求中任一项的磁蚀刻方法。
7．只读存储器的光记录方法，其特征在于采用权利要求1至5中任一项的磁蚀刻方法。
8．权利要求6或7的方法，其特征在于所述记录介质为一种Co／Pt多层。
9．利用一种与磁性有关的光学指数分量的可控变化生产可磁性控制的光电路的方法，其特征在于采用权利要求1至5中任一项的磁蚀刻方法。
10．权利要求9的方法，其特征在于通过辐射穿过一个掩模生产一种包括磁性单元规则阵列的由非磁性材料制成的波导薄膜。
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