[发明专利]用于零电压开关的绝缘栅双极晶体管

权利要求书

1、一种适用于ZVS工作的IGBT，包括：

包括栅和源的MOSFET部分，和包括发射极、基极和集电极的双极晶体管部分；

栅、源、基极和发射极位于与其上具有集电极的另一侧相对的IGBT的一侧上，漂移层位于两侧之间；

所说集电极包括与漂移层的厚度相比较薄的P⁺层，所说P⁺层以预定量掺杂成使正向压降最小，同时基本上不增大漂移层中存储的总电荷；

位于P⁺层和漂移层间的N⁺缓冲层，该缓冲层与漂移层相比较薄，

所说漂移层具有位于P⁺／N^-集电极界面的边缘的局部寿命限制层，在其边缘以外，漂移层内部没有寿命限制层。

2、根据权利要求1的IGBT，其中栅包括DMOS栅结构。

3、根据权利要求1的IGBT，其中栅包括沟槽栅结构。

4、根据权利要求1的IGBT，还包括在N⁺缓冲层内的P⁺分流区。