[发明专利]电镀设备及方法

权利要求书

1．一种在基片表面上电镀薄膜到所需厚度的方法，其中包括下列步骤：

在基片表面的第一部分上电镀薄膜到所需厚度；以及

至少在基片表面的第二部分上电镀薄膜到所需厚度，以在基片上获得所需厚度的连续膜。

2．如权利要求1所述的方法，其中所需厚度是基片上的薄膜的连续籽晶层的厚度。

3．如权利要求2所述的方法，其中进一步包括以下步骤：

在连续籽晶层上电镀另一厚度，以得到第二均匀厚度的连续膜，该第二均匀厚度大于基片上的籽晶层的所需厚度。

4．如权利要求3所述的方法，其中基片第一部分上的薄膜是如下电镀的：使电解液流到基片表面第一部分并施加电镀电流到基片第一部分上，电镀薄膜直到膜达到所需厚度；对基片至少第二部分重复电解液流动和电镀电流流动的步骤，在基片第二部分上电镀薄膜到所需厚度；以及使电解液流向基片第一部分和至少第二部分，施加电镀电流到至少第二部分，直到获得第二均匀厚度。

5．如权利要求4所述的方法，其中：通过向基片第一和第二部分的电镀电极独立地提供电镀电流，在基片第一和第二部分上电镀薄膜。

6．如权利要求5所述的方法，其中：电解液独立地流向基片第一和第二部分。

7．如权利要求1所述的方法，其中基片第一和第二部分上的薄膜是如下电镀的：使电解液同时流到基片第一和第二部分，并分别向第一和第二部分的电镀电极施加电镀电流。

8．如权利要求7所述的方法，其中还包括以下步骤：向基片第一部分提供足够电流，以免在基片第一部分上的膜达到所需厚度之后，向基片第二部分施加电镀电流时发生镀层去除。

9．如权利要求7所述的方法，其中还包括以下步骤：向基片第二部分提供足够电镀电压，以免在向基片第一部分施加电镀电流时发生镀层去除。

10．如权利要求7所述的方法，其中还包括以下步骤：在基片第一部分上的膜达到所需厚度之后，在向基片第二部分施加电镀电流时把基片第一部分移出电解液。

11．如权利要求1所述的方法，其中基片第一和第二部分上的薄膜是如下电镀的：在基片第一部分上电镀薄膜时使电解液流到基片第一部分，在基片第二部分上电镀薄膜时使电解液同时流到基片第一和第二部分。

12．如权利要求11所述的方法，其中还包括以下步骤：提供足够电镀电压到基片第一部分，以免在基片第一部分上的膜达到所需厚度之后，在向基片第二部分施加电镀电流时发生镀层去除。

13．如权利要求1所述的方法，其中基片第一和第二部分上的薄膜是如下电镀的：借助移动可移动的喷射阳极靠近基片第一部分使电解液只流到基片第一部分，且借助移动可移动的喷射阳极靠近基片第二部分使电解液只流到基片第二部分。

14．如权利要求1所述的方法，其中还包括以下步骤：把基片表面浸入电解液中，通过分别移动可移动的喷射阳极靠近基片第一部分且移动可移动的喷射阳极靠近基片第二部分，进行基片第一和第二部分上膜的电镀。

15．如权利要求1所述的方法，其中：当在基片第二部分上电镀薄膜时继续在基片第一部分上电镀薄膜。

16．如权利要求15所述的方法，其中基片第一和第二部分上的薄膜是如下电镀的：在基片第一部分上电镀薄膜时使电解液流到基片第一部分上，且在基片第一和第二部分上同时电镀薄膜时使电解液同时流到基片第一和第二部分。

17．如权利要求16所述的方法，其中：在基片第一和第二部分上电镀薄膜到所需厚度以得到连续籽晶层，该方法还包括以下步骤：

在连续籽晶层上电镀另一厚度得到第二均匀厚度的连续膜，该第二均匀厚度大于基片上籽晶层的所需厚度。

18．如权利要求1所述的方法，其中基片第一和第二部分上的薄膜是如下电镀的：在基片第一部分上电镀薄膜时使电解液只流到基片第一部分，且在基片第二部分上电镀薄膜时使电解液同时流到基片第一和第二部分。