[发明专利]直接写入成像介质无效
申请号: | 99802984.X | 申请日: | 1999-01-14 |
公开(公告)号: | CN1291135A | 公开(公告)日: | 2001-04-11 |
发明(设计)人: | N·斯威特 | 申请(专利权)人: | 精密涂层公司 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;G03C1/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 吴亦华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直接 写入 成像 介质 | ||
1.一种直接写入成像膜,包括:
基材;
放置于所述基材之上的第一材料第一层;和
放置于所述第一层之上的第二材料第二层;
其中所述第一层对第一波长光比对第二波长光的吸光率要高,所述第二波长光比所述第一波长光要短;所述第二层对所述第一波长光的吸光率低于所述第一层,而对所述第二波长光的吸光率高于所述第一层;且其中所述第一层的材料能够被所述第一波长光破坏。
2.根据权利要求1的直接写入成像膜,其中所述第一层包含一层金属。
3.根据权利要求1的直接写入成像膜,其中所述第二层包括吸收紫外线的染料。
4.根据权利要求3的直接写入成像膜,其中所述吸收紫外线的染料是一种偶氮染料。
5.根据权利要求4的直接写入成像膜,其中所述偶氮染料通过芳族偶联剂与选自以下的重氮盐的反应而得到:
其中R表示氢原子或烷基,Y为卤素且X是阴离子。
6.根据权利要求5的直接写入成像膜,其中所述芳族化合物选自:
其中R为氢原子或烷基,且n为0或正整数。
7.根据权利要求3的直接写入成像膜,其中所述第二层包含一种将所述吸收紫外线的染料溶解于其中的聚合物基体。
8.根据权利要求1的直接写入成像膜,它还包括插入于所述第一层与所述第二层之间的热分散层。
9.根据权利要求8的直接写入成像膜,其中所述热分散层包含一层聚合物材料。
10.根据权利要求9的直接写入成像膜,其中所述聚合物材料是水解聚乙酸乙烯酯。
11.根据权利要求1的直接写入成像膜,其中所述第一材料的所述第一层包含一层钛。
12.根据权利要求11的直接写入成像膜,其中所述钛层的光密度为.1-.8。
13.根据权利要求7的直接写入成像膜,其中所述聚合物基体包含乙酸纤维素聚合物。
14.根据权利要求13的直接写入成像膜,其中所述乙酸纤维素聚合物包含至少两种粘度不同的乙酸丙酸纤维素聚合物的混合物。
15.根据权利要求13的直接写入成像膜,其中所述乙酸纤维素聚合物选自乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、及其混合物。
16.根据权利要求1的直接写入成像膜,它还包括覆盖片材组件,所述覆盖片材组件包括一层与所述第二层接触的粘合剂。
17.一种直接写入成像膜,包括:
基材;
放置于所述基材之上的第一材料第一层;和
放置于所述第一层之上的第二材料第二层;
其中所述第一层对第一波长光比对第二波长光的吸光率要高,所述第二波长光比所述第一波长光要短;所述第二层对所述第一波长光的吸光率低于所述第一层,而对所述第二波长光的吸光率高于所述第一层;且其中所述第一层能够被所述第一波长光破坏;和
覆盖片材组件,包括放置于所述第二层之上的粘合剂体、以及放置于所述粘合剂体之上的衬底片材。
18.一种用于制造光工具的方法,该方法包括以下步骤:
Ⅰ.提供一种直接写入成像膜,所述膜包括:
基材;
放置于所述基材之上的第一材料第一层;
放置于所述第一层之上的第二材料第二层;其中所述第一层对第一波长光比对第二波长光的吸光率要高,所述第二波长光比所述第一波长光要短;且其中所述第二层对所述第一波长光的吸光率低于所述第一层,而对所述第二波长光的吸光率高于所述第一层;
Ⅱ.将所述第一波长光束照射到所述成像膜,所述光束的能量足以破坏所述第一层,从而在其中产生已破坏区;这样覆盖所述已破坏区的所述第二层的上面相邻部分就不再粘附于所述基材;然后
Ⅲ.从所述膜去除所述第二层的所述上面相邻的部分,这样在所述膜中产生没有所述第二层的区域。
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