[发明专利]用稀土铁石榴石的光波前极化旋转的光学测量方法和装置

权利要求书

在本发明的实施中，要求保护的专有的特征或特权定义如下：

1．一种磁光传感器元件包括：

晶体衬底；

在所述晶体衬底的第一面上的薄膜反射表面；

在所述晶体衬底的第二面上的稀土铁石榴石薄膜，所述第二面和所述第一面对置；以及

在所述稀土铁石榴石衬底上的抗反射涂层。

2．根据权利要求1的磁光传感器元件，其特征在于，所述薄膜反射表面包括放置在所述晶体衬底上的电介质镜。

3．根据权利要求1的磁光传感器元件，其特征在于，所述薄膜反射表面包括放置在所述晶体衬底上的金属镜。

4．根据权利要求1的磁光传感器元件，其特征在于，所述晶体衬底相对于入射偏振波前的波长在光学上是透明的。

5．根据权利要求1的磁光传感器元件，其特征在于，把所述稀土铁石榴石薄膜放置在所述晶体衬底的所述第二面上。

6．根据权利要求1的磁光传感器元件，其特征在于，在所述晶体衬底的所述第二面上生成所述稀土铁石榴石薄膜。

7．根据权利要求1的磁光传感器元件，其特征在于，所述抗反射涂层具有厚度t，它在下列范围内：

0＜=t＜=N^*．λ／4

其中λ表示入射偏振波前的基本波长，而N是一个奇整数倍数致使

1＜=N＜=∞

8．根据权利要求1的磁光传感器元件，其特征在于，把所述抗反射涂层放置在所述稀土铁石榴石衬底上。

9．根据权利要求1的磁光传感器元件，其特征在于，通过所述稀土铁石榴石薄膜和支持晶体衬底，薄膜反射表面使总的单向光通路长度加倍。

10．一种磁光传感器元件包括：

晶体衬底，所述晶体衬底相对于来自传感器光源的入射偏振波前的波长是光学地透明的，所述晶体衬底进一步包括稀土铁石榴石晶体；

放置在所述稀土铁石榴石晶体的一侧的电介质薄膜镜；以及

厚度0＜=t＜=N^*λ／4的抗反射涂层，其中λ是入射偏振波前的基本波长，而N是一个奇整数倍数致使1＜=N＜=∞，所述抗反射涂层放置在稀土铁石榴石衬底的对面的一端。

11．如权利要求10所述的磁光传感器元件，其特征在于，通过所述稀土铁石榴石薄膜和支持晶体衬底，薄膜反射表面使总的单向光通路长度加倍。

12．根据权利要求1的磁光传感器元件，其特征在于进一步包括：

渐变折射率透镜，用于把光能量耦合到所述晶体衬底。

13．根据权利要求12的磁光传感器元件，其特征在于，把所述渐变折射率透镜光学地调谐到来自传感器光源的入射偏振波前的四分之一波长上。

14．如权利要求12所述的磁光传感器，其特征在于，所述渐变折射率透镜是直角圆柱形的，并通过光学上透明的环氧树脂黏合到所述晶体衬底的抗反射一侧。

15．如权利要求13所述的磁光传感器，其特征在于，所述渐变折射率透镜包括在基本波长处的四分之一间距透镜。

16．如权利要求12所述的磁光传感器元件，其特征在于，在所述渐变折射率透镜的至少一端上进行抛光到相对于圆柱的旋转对称轴测量为0＜=α＜=11度的平面角。

17．如权利要求12所述的磁光传感器，其特征在于，如此地安排以致通过所述传感器元件传播的入射平面偏振光束沿所述渐变折射率透镜的轴行进，通过所述晶体衬底，并以基本上垂直的入射角入射到所述薄膜镜。

18．一种磁光传感器探头，包括：

晶体衬底；

在所述晶体衬底的第一面上的薄膜反射表面；

在所述晶体衬底的第二面上的稀土铁石榴石薄膜，所述第二面和所述第一面对置；

渐变折射率透镜，用于把光能量耦合到所述晶体衬底；以及

与所述渐变折射率透镜耦合的光纤。

19．如权利要求18所述的磁光传感器探头，其特征在于，所述光纤包括偏振保持单模光纤。