[发明专利]磁控管

权利要求书

1、一种磁控管，包括一个内部被抽成真空谐振腔的圆柱形阳极和一个阴极组件，该阴极组件在阳极里面，并与阳极同轴布置，所述的阴极组件包括：

一个圆柱形二次电子发射体，它与阳极同轴；

一个场致电子发射体，上面有尖锐形状的工作端面；

一对聚焦护罩，位于阴极组件的端面，其内表面朝向所述的内磁控管空腔；

其特征在于：

至少一个所述的聚焦护罩与二次电子发射体电绝缘，至少一个场致电子发射体位于与二次电子发射体电绝缘的聚焦护罩的内表面，聚焦护罩的尖锐形工作端面面向二次电子发射体。

2、如权利要求1所述的磁控管，其特征在于，带有场致电子发射体的两个聚焦护罩的内表面都与二次电子发射体电绝缘。

3、如权利要求1或2所述的磁控管，其特征在于，所述的场致电子发射体的工作端面上有凸起。

4、如权利要求3所述的磁控管，其特征在于，所述的二次电子发射体上有缺口，以接纳所述的场致电子发射体的凸起。

5、如权利要求1所述的磁控管，其特征在于，场致电子发射体端面下的二次电子发射体圆柱体的至少一个端部，被制成截头圆锥体形状，它的倾斜面朝向阳极和阴极之间的真空间隙。

6、如权利要求1、2或3所述的磁控管，其特征在于，场致电子发射体有一个展开的侧向表面。

7、如权利要求1-5所述的磁控管，其特征在于，场致电子发射体端面下的二次电子发射体区域上镀了一层由异质材料制成的膜。

8、如权利要求7所述的磁控管，其特征在于，所述的膜由金属、合金、半导体和绝缘体等材料中的任何一种制成，该材料的二次电子发射系数值高于二次电子发射体的值。