[发明专利]有源线性传感器

权利要求书

1．一种成像器件，包括：

一个单片半导体集成电路衬底；

具有行轴和列轴的像素单元焦平面阵列，每个所述单元包括：

位于每个像素点上的沿所述阵列的一个轴(行或者列)带有反馈的运算放大器的至少一个输入FET，每个像素的所述运算放大器的其余部分位于成像矩阵的一个轴的外围，

所述像素包括从由光电二极管和光控门组成的组中选择的一个元件，以便累积电荷调整差动对输入FET的检测节点。

2．权利要求1的成像器件，其中通过施加来自阵列外围的控制信号来选择读取像素。

3．权利要求1的成像器件，包括通过向检测节点并行传送信号来选择读取一个或多个像素的装置。

4．权利要求1的成像器件，其中所述运算放大器被配置为单位增益。

5．一种成像器件，包括：

一个单片半导体衬底；

在衬底上形成的一个像素单元阵列，每个单元包括一个位置，在该像素上形成的电荷将被传送到该位置中，和一个检测节点，在其上可以检测电荷总量；

差动放大器具有在邻近检测节点的衬底中形成的第一输入晶体管和在阵列外围的衬底中形成的第二输入晶体管。

6．权利要求5的成像器件，包括连接到第一和第二输入晶体管的一个电流源。

7．权利要求6的成像器件，包括连接到第一和第二输入晶体管的电流镜。

8．权利要求5的成像器件，包括连接在差动放大器输出和第二晶体管输入之间的一条反馈路径。

9．权利要求5的成像器件，包括连接到差动放大器输出的一个信号处理器。

10．权利要求9的成像器件，其中信号处理器包括一个相关双抽样器。

11．权利要求5的成像器件，其中像素单元包括一个光控门和邻近光控门的一个检测节点。

12．权利要求11的成像器件，其中光控门和检测节点包括多晶硅层。

13．权利要求12的成像器件，其中光控门和检测节点至少是完全可传送光的。

14．权利要求11的成像器件，包括连接到检测节点的一个控制晶体管，用于控制电荷的收集和检测。

15．权利要求5的成像器件，其中一列中像素的多个第一输入晶体管被并行连接。