[发明专利]行-列可寻址电微开关阵列及使用其的传感器矩阵无效
申请号: | 99804732.5 | 申请日: | 1999-02-02 |
公开(公告)号: | CN1295722A | 公开(公告)日: | 2001-05-16 |
发明(设计)人: | 俞钢;曹镛 | 申请(专利权)人: | 优尼爱克斯公司 |
主分类号: | H01L51/20 | 分类号: | H01L51/20;H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永,王忠忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 寻址 开关 阵列 使用 传感器 矩阵 | ||
1、一种微开关阵列,包括多个电微开关,多个微开关的每个部件的形式是第一电极/半导体/第二电极层,半导体层是阵列的各部件共享的整体。
2、根据权利要求1的微开关阵列,其中多个微开关按x-y可寻址阵列构成。
3、根据权利要求1的微开关阵列,其中半导体是无机半导体。
4、根据权利要求1的微开关阵列,其中半导体是有机半导体。
5、根据权利要求2的微开关阵列,其中半导体是有机半导体。
6、根据权利要求4的微开关阵列,其中有机半导体选自共轭有机半导电聚合物、共轭有机半导电共混聚合物、半导电有机分子、半导电有机金属分子、分子混合物或半导电有机分子及这些材料的多层结构构成的组。
7、根据权利要求1的微开关阵列,其中各电极中的至少一个是金属电极。
8、根据权利要求1的微开关阵列,其中各电极中的至少一个包括导电有机聚合物。
9、根据权利要求1的微开关阵列,其中各电极中的至少一个包括与半导体层相邻的缓冲层。
10、根据权利要求1的微开关阵列,其中各电极中的至少一个是透明的。
11、一种三维微开关阵列,包括多个权利要求1的阵列的叠层。
12、一种三维微开关阵列,包括多个权利要求2的阵列的叠层。
13、一种多单元电压开关传感器阵列,包括权利要求1的微开关阵列,阵列的各单元与多个传感器单元的各部件串联,所说传感器单元响应于所探测的激励产生电信号。
14、根据权利要求13的多单元电压开关传感器阵列,其中传感器是薄层传感器,它们自身为第一探测电极/探测半导体/第二探测电极层的形式。
15、根据权利要求14的多单元电压开关传感器阵列,其中探测半导体是有机半导体。
16、根据权利要求15的多单元电压开关传感器阵列,其中微开关和传感器共享一个共用电极。
17、一种多单元电压开关传感器阵列,包括权利要求5的微开关阵列,阵列的各单元与多个传感器单元的各部件串联,所说传感器单元响应于所探测的激励产生电信号。
18、根据权利要求17的多单元电压开关传感器阵列,其中传感器是薄层传感器,它们自身为第一探测电极/探测半导体/第二探测电极层的形式。
19、根据权利要求18的多单元电压开关传感器阵列,其中探测半导体是有机半导体。
20、根据权利要求19的多单元电压开关传感器阵列,其中微开关和传感器共享一个共用电极。
21、根据权利要求15的多单元电压开关传感器阵列,另外包括支撑基片。
22、根据权利要求15的多单元电压开关传感器阵列,其中传感器对光敏感。
23、根据权利要求22的多单元电压开关传感器阵列,其中第二探测电极对要探测的光是透明的。
24、根据权利要求22的多单元电压开关传感器阵列,其中所说光包括可见光。
25、根据权利要求22的多单元电压开关传感器阵列,其中所说光包括紫外光。
26、根据权利要求22的多单元电压开关传感器阵列,其中所说光包括红外光。
27、根据权利要求15的多单元电压开关传感器阵列,其中所说传感器对X射线敏感。
28、根据权利要求15的多单元电压开关传感器阵列,其中所说传感器探测选自电子、β粒子和γ射线辐射的高能电离粒子。
29、根据权利要求15的多单元电压开关传感器阵列,其中所说传感器对表面压力敏感。
30、根据权利要求15的多单元电压开关传感器阵列,其中所说传感器对表面温度敏感。
31、根据权利要求13的多单元电压开关传感器阵列,按两维x-y可寻址形式构成。
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