[发明专利]包括具有减小的寄生电容的电容器的电压升压电路

权利要求书

1．集成电路的一种电容器结构，该结构包括一个主电容器和一个寄生电容器，包括

一个第一种导电类型的衬底2000；

第一个介电层2040；

部署在第一个介电层2040之上的第一个导电层2010，第一个导电层2010

形成主电容器的第一个板极和寄生电容器的第一个板极；

部署在第一个导电层2010之上的第二个介电层2020；和

部署在第二个介电层2020之上的第二个导电层2030，第二个导电层2030

形成主电容器的第二个板极；

其特征在于该电容器结构进一步包括部署在衬底2000内的一个阱2100，

该阱是与上述第一种类型相反的第二种导电类型的，第一个介电层2040

部署在阱2100之上，阱2100形成寄生电容器的第二个板极，并与衬底2000

形成另外一个结电容器，该构造使得寄生和结电容器相互串联，并与主电

容器串联，从而减小杂散电容。

2．权利要求1所述的电容器，其特征在于上述第一种导电类型是p-型，第二种导电类型是n-型。

3．一种升高电压源的方法，包括以下步骤：

提供如权利要求1或2所述的电容器结构；

相对于主电容器的第二个板极对主电容器的第一个板极充电；和

然后相对于第一个板极对第二个板极充电，以便在第一个板极上提供升高

的电压。

4．一种电压升压电路，包括：

如权利要求1或2所述的电容器结构；

配置为按第一种模式和第二种模式工作的充电装置；和

用于提供升高的电压的输出节点；

其中在第一种工作模式中，主电容器的第一个板极与第一电压相连接，主

电容器的第二个板极与第二电压相连接；而在第二种工作模式中，第一个

板极与第二电压相连接，第二个板极与输出节点相连接。

5．权利要求4所述的电压升压电路，其特征在于第一电压是地，而第二电压是一个正电压。

6．权利要求4或5所述的电压升压电路，其特征在于第一个板极通过第一个开关与第二电压相连接，并通过第二个开关与第一电压相连接，第一个和第二个开关安排为反相工作。

7．权利要求4到6中任何一项所述的电压升压电路，其特征在于第二个板极通过第三个开关与输出节点相连接，并通过第四个开关与第一电压相连接，第三个和第四个开关反相工作。

8．在从属于权利要求6时权利要求7所述的电压升压电路，其特征在于第一个和第三个开关是p-沟道FET，而第二个和第四个开关是p-和n-沟道FET。

9．权利要求4到8中任何一项所述的电压升压电路，进一步包括连接在输出节点与第一电压之间的第二个电容器。

10．包括权利要求4到9中任何一项所述的电压升压电路的滤气器。

11．包括权利要求4到9中任何一项所述的电压升压电路的移动电话。

12．包括权利要求4到9中任何一项所述的电压升压电路的便携式计算机。