[发明专利]固定基片的装置无效
申请号: | 99805310.4 | 申请日: | 1999-04-14 |
公开(公告)号: | CN1298552A | 公开(公告)日: | 2001-06-06 |
发明(设计)人: | L·登兹勒尔;U·斯佩尔;K·维贝尔 | 申请(专利权)人: | 施蒂格哈马技术股份公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G11B7/26;C23C14/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 苏娟 |
地址: | 德国斯台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固定 装置 | ||
1.用于固定各有一个内孔的基片(8)的装置(1),带有一个外壳(15;45)和一个装在外壳内可嵌入内孔中的元件,其特征在于,该元件具有一个可相对外壳(15,45)轴向移动的外构件(20;49)和一个可相对外壳(15;45)轴向移动的内构件(30;58),其中外构件(20;49)可通过构件(20,30;49,58)的相对运动扩张。
2.根据权利要求1所述的装置(1),其特征在于,外构件和/或内构件(20,30;49,58)是圆柱形的。
3.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外构件(20;49)在一端部(21)具有狭缝(23)。
4.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外构件(20;49)可弹性扩张。
5.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外构件(20;49)在狭缝(23)部位有一个逐渐变细的内径(24;55)。
6.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外构件(20;49)通过一个偏压装置(27;65)可轴向偏压。
7.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,偏压装置(27;65)是一弹簧。
8.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,内构件(30;58)在外圆周上有一个斜面(39;68)。
9.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,内构件(30;58)外圆周上的斜面(39;68)与外构件(20;49)的逐渐变细的内径(24;55)互补。
10.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,内构件(20;49)通过一偏压装置可轴向偏压到扩张外构件(30;58)的位置。
11.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,偏压装置(37;65)是一弹簧(37;65)。
12.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,内构件(30)的偏压装置(37)的弹簧常数比外构件(20)的偏压装置(27)小。
13.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外构件(20;49)有一个用于外构件和/或内构件(20,30)的偏压装置的支撑元件(25)。
14.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外构件和内构件(49,58)通过一共同偏压装置(65)可轴向偏压。
15.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外构件(49)在一不可扩张的部位有一个设置在内圆周面上的环形件(56)。
16.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,内构件(30;58)有一个可从外构件(20;49)伸出来的凸起(34;62)。
17.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外壳(15;45)固定不动。
18.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外壳(15)有一个基片支承面(17)。
19.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,外壳(45)有一个底壁(46)。
20.根据前述权利要求之一所述的装置(1),其特征在于,底壁(46)有一个导向凸起(37)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造