[发明专利]InP－基多量子阱激光器

权利要求书

1．一种InP-基多量子阱激光器，包括Ⅲ族元素In,Ga以及可能有的Al和V族元素P和As，在1.3μm波段工作，并且建立在InP衬底上，具有至少一个与衬底晶格失配的、夹持在势垒层之间的外延阱层，势垒层的能隙大于上述的阱层，其中上述阱层具有一个对应于激光器波长的、从其导带中第一个量子态到其价带中第一个量子态的能量跃迁，上述阱层和势垒层具有大体相同的Ⅲ族元素组份，其特征在于势垒层的失配是拉伸性的，或者通过势垒层中V族元素组份的变化而实现的晶格自适应，从而使有效空穴势垒小于170meV，最好小于150meV。

2．权利要求1所述的多量子阱激光器，其特征在于Ⅲ族元素Ga的组份为5-20％。

3．权利要求1或2所述的多量子阱激光器，其特征在于Ⅲ族元素Ga和/或Al的组份为5-20％。

4．权利要求1或2所述的多量子阱激光器，其特征在于Ⅲ族元素Ga的组份为10％。

5．权利要求1或2所述的多量子阱激光器，其特征在于Ⅲ族元素Ga和/或Al的组份为10％。

6．上述权利要求中任何一条所述的多量子阱激光器，其特征在于势垒中V族元素As的组份介于8-22％。

7．上述权利要求中任何一条所述的多量子阱激光器，其特征在于它包括多个阱层。

8．上述权利要求中任何一条所述的多量子阱激光器，其特征在于上述阱层和衬底之间的失配大于0.5％。