[发明专利]制造结构化硬铬层的电镀浴和方法以及其应用

权利要求书

1.一种电镀浴，该浴的水溶液中至少含存提供铬(VI)离子的化合物，其特征在于，水溶液包含：

a)铬(VI)离子，其量相当于100-600g/l铬酸酐，

b)硫酸根离子，以硫酸和/或其可溶性盐的形式存在，铬(VI)

离子对硫酸根离子(SO₄^2-)的摩尔浓度比为90∶1-120∶1，以及

c)2-羟基乙烷磺酸离子，其量相当于0.01-3.0g/l钠盐。

2.权利要求1的电镀浴，其特征在于，该浴所含铬(VI)离子的量相当于200-250g/l铬酸酐。

3.权利要求1或2的电镀浴，其特征在于，提供铬(VI)离子的化合物选自铬酸酐和/或量铬酸的碱金属盐。

4.权利要求1-3之一的电镀浴，其特征在于，铬(VI)离子对硫酸根离子的摩尔浓度比为100∶1-105∶1。

5.权利要求1-4之一的电镀浴，其特征在于，所包含的硫酸根离子来自硫酸、硫酸钠、硫酸钾、硫酸锂、硫酸铵、硫酸镁、硫酸锶、硫酸铝和/或硫酸钾铝硫酸。

6.权利要求5的电镀浴，其特征在于，所包含的硫酸根离子来自硫酸锶。

7.权利要求1-6之一的电镀浴，其特征在于，该浴含0.07-1.5g/l羟基乙烷磺酸盐，以钠盐计。

8.一种用于制备铬镀层的方法，其特征在于，铬从权利要求1-7之一的电镀浴中淀积到作为阴极的制品上。

9.权利要求8的方法，包括下列工序：

a)在≥50℃的温度下淀积基层，

b)在≤50℃的温度下淀积结构铬层，

c)在≥50℃的温度下淀积功能性铬层。

10.权利要求9的方法，其特征在于，

工序a)在51-61℃之间的温度范围内的进行，

工序b)在40-50℃之间的温度范围内的进行，

工序c)在51-61℃之间的温度范围内的进行

均是各自独立的。

11.权利要求9或10的方法，其特征在于，

基铬层的淀积在工序a)中以电流密度达50A/dm²下的进行，

结构铬层的淀积在工序b)中以电流密度为75-90A/dm²下的进行，以及

功能性铬层的淀积在工序c)中以电流密度达50A/dm²下的进行均是互为独立的。

12.权利要求9-11之一的方法，其特征在于，电流密度在工序a)，b)和/或c)中从初始值到最终值或相反之的升高和/或下降皆按线性进行。

13.权利要求9-11之一的方法，其特征在于，电流密度在工序a)，b)和/或c)中从初始值到最终值或相反之的升高和/或下降皆逐级进行。

14.权利要求9-13之一的方法，其特征在于，在工序a)，b)和c)的一个或多个工序之前互为独立地在电流密度达30A/dm²下对制品进行活化和正极化。

15.权利要求9-14之一的方法在构件上制备铬层中的应用。

16.权利要求15的用途，其特征在于，在相互间滑动接触的立式机构部件上，特别是活塞、汽缸、轴套和轴承上，在印刷工业的辊上，特别是色辊和湿摩擦滚筒或者在工具上制备结构化硬铬层。

17.权利要求15的用途，其特征在于，在印刷工业的导向滚筒或鼓上制备结构化硬铬层。