[发明专利]半导体位置探测器无效
申请号: | 99808149.3 | 申请日: | 1999-06-28 |
公开(公告)号: | CN1308776A | 公开(公告)日: | 2001-08-15 |
发明(设计)人: | 竹下辰夫;榊原正之;野田浩二 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L31/16 | 分类号: | H01L31/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 位置 探测器 | ||
1.一种根据受光面上边的入射光位置使从半导体导电层的两个端部分别输出的电流值可变的半导体位置探测器,其特征是:在上述半导体导电层的途中设置可以断开上述两个端部间的电传导的门控装置。
2.权利要求1所述的半导体位置探测器,其特征是:上述门控装置,具备配置在上述半导体导电层上边的绝缘膜和配置在上述绝缘膜上边的栅极电极。
3.权利要求1所述的半导体位置探测器,其特征是:具备从上述半导体导电层延伸出来的多个分支导电层。
4.权利要求3所述的半导体位置探测器,其特征是:上述分支导电层和上述半导体导电层的电阻率大体上是相同的。
5.权利要求2所述的半导体位置探测器,其特征是:上述栅极电极正下边的上述半导体导电层,具有与上述两个端部不同的杂质浓度。
6.权利要求1所述的半导体位置探测器,其特征是:上述门控装置,具备配置在上述半导体导电层上边的绝缘膜和分别配置在上述绝缘膜上边的多个栅极电极。
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