[发明专利]晶体生长设备及晶体生长方法

权利要求书

1．一种晶体生长的设备，其中包括：

一个装有供晶体从其中生长的熔融材料的坩埚，在熔融材料和晶体之间具有弯液面区，

第一个反射装置，接收沿入射光路射来的光束，并反射横向通过生长界面区的光束，和

第二个反射装置，接收横向通过生长界面区的反射光束，并反射沿射出光路的射出光束，

其中第一和第二个反射装置配置在熔融材料的表面或靠近表面处，以使在晶体生长过程中，它们相对于熔融材料表面的位置基本上保持不变。

2．权利要求1的设备，还包括支持第一或第二个反射装置的支承装置，所配置的支承装置浮在熔融材料的表面上，以使晶体生长过程中，第一和第二个反射装置相对于熔融材料表面的位置基本上保持不变。

3．权利要求2的设备，其中支承装置是装有熔融材料的第二个内坩埚，它与第一个坩埚中的熔融材料流体相通，以致第一和第二个反射装置支承在内坩埚上，内坩埚浮在第一个坩埚中的熔融材料上。

4．权利要求2的设备，其中支承装置与第一和第二个反射装置是整体的。

5．权利要求1的设备，其中第一和第二个反射装置的配置，使从第一个反射装置反射到第二个反射装置的入射光束，经反射经由熔融材料的表面横向通过生长界面区。

6．权利要求1的设备，还包括接收射出光束并形成晶体或生长界面区的任何部位的图象的图象处理装置。

7．权利要求1的设备，还包括加热第一个坩埚中物料的装置。

8．权利要求1的设备，其中入射和射出光路与竖直方向的角度小于5°。

9．权利要求1的设备，其中入射和射出光路基本上是竖直方向。

10．权利要求1的设备，其中第一和第二个反射装置是平面反射镜。

11．权利要求1的设备，其中包括一个沿入射光路直射的辐射源。

12．权利要求1的设备，其中包括一个辐射源、一个或多个指向沿入射光路辐射的反射镜。

13．权利要求1的设备，还包括一个或多个反射镜，反射从第二个反射装置反射到图象处理装置的光束。

14．权利要求13的设备，还包括根据观测的图象，测定晶体直径或弯液面区直径的至少一个的测定装置。

15．权利要求14的设备，还包括根据晶体直径的测定或弯液面区直径的测定，控制晶体生长的反馈装置。

16．权利要求1的设备，其中第一个反射装置具有测量刻度，为晶体直径的测定或弯液面区直径的测定提供标度。

17．权利要求1的设备，还包括反射第一个反射装置中测量刻度的装置，为晶体直径的测定或弯液面区直径的测定提供标度。

18．一个用于从熔融材料中生长晶体的坩埚，其中该坩埚浮在外坩埚中熔融的材料上，其特征在于，该坩埚包括第一个反射装置和第二个反射装置，前者接收光束并将其反射横向通过生长界面区，后者接收横向通过生长界面区反射的光束，并反射出射光束，其中第一和第二个反射装置的配置，使在晶体生长过程中，它们位于熔融材料的表面或靠近表面处，以使在晶体生长过程中，它们相对熔融材料表面的位置基本上保持不变。

19．权利要求18的坩埚，其中包括是坩埚整体的一部分的第一和第二个反射表面。

20．权利要求18的坩埚，其中包括固定在坩埚上的第一和第二个反射表面。

21．一种生长晶体的方法，其中包括以下步骤：

(ⅰ)采用加热装置加热晶体从其中生长的熔融材料，在熔融材料和晶体之间具有弯液面区，

(ⅱ)沿入射光路直射到第一个反射装置上的光束，经反射横向通过生长界面区到达第二个反射装置，

(ⅲ)接收从第一个反射装置反射到第二个反射装置的光束，并沿射出光路反射射出光束，和

(ⅳ)将第一和第二个反射装置配置在熔融材料的表面或靠近表面处，使在晶体生长过程中，它们相对熔融材料表面的位置基本上保持不变。