[发明专利]用于清洗微电子衬底的含硅酸盐碱性组合物

权利要求书

1．一种清除或清洗集成电路衬底的组合物，它包含：

(a)一种或多种无金属离子的碱；

(b)一种水溶性无金属离子的硅酸盐；和

(c)水。

2．根据权利要求1的组合物，其中，所述无金属离子的碱的含量应该足以产生约11-13的pH值。

3．根据权利要求1的组合物，其中，所述水溶性无金属离子的硅酸盐的浓度约为0.01-5重量％。

4．根据权利要求1的组合物，还含有一种或多种螯合剂。

5．根据权利要求4的组合物，其中，所述螯合剂的浓度约为0.01-10重量％。

6．根据权利要求4的组合物，其中，所述螯合剂是氨基羧酸。

7．根据权利要求4的组合物，其中，所述螯合剂选自(乙二胺)四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、1,3-二氨基-2-羟基丙烷-N,N,N’,N’-四乙酸、N,N,N’,N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)和(1,2-环己二胺)-四乙酸。

8．根据权利要求1的组合物，还含有一种或多种水溶性有机共溶剂。

9．根据权利要求8的组合物，其中，所述水溶性有机共溶剂的浓度约为0.1-80重量％。

10．根据权利要求8的组合物，其中，所述水溶性有机共溶剂选自1-羟烷基-2-吡咯烷酮、醇和多羟基化合物。

11．根据权利要求1的组合物，还含有一种或多种钛残渣清除增强剂。

12．根据权利要求11的组合物，其中，所述钛残渣清除增强剂的浓度约为1-50重量％。

13．根据权利要求1的组合物，其中，所述钛残渣清除增强剂选自羟胺、羟胺盐、过氧化氢、臭氧和氟化物。

14．根据权利要求1的组合物，还含有一种或多种水溶性表面活性剂。

15．根据权利要求14的组合物，其中，所述水溶性表面活性剂的浓度约为0.01-1重量％。

16．根据权利要求1的组合物，其中，所述碱选自氢氧化物和有机胺。

17．根据权利要求16的组合物，其中，所述碱选自季铵氢氧化物、氢氧化铵和有机胺。

18．根据权利要求1的组合物，其中，所述碱选自胆碱、四丁基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、甲基三乙氧基氢氧化铵和甲基三乙基氢氧化铵。

19．根据权利要求1的组合物，其中，所述水溶性无金属离子的硅酸盐选自硅酸铵和季铵硅酸盐。

20．根据权利要求1的组合物，其中，所述水溶性无金属离子的硅酸盐是四甲基硅酸铵。

21．根据权利要求1的组合物，含有约0.1-3重量％的四甲基氢氧化铵和约0.01-1重量％的四甲基硅酸铵。

22．根据权利要求21的组合物，还含有0.01-1重量％的反式-(1,2-环己胺二胺)四乙酸。

23．一种清洗半导体晶片衬底的方法，它包括：

使半导体晶片衬底在足以从所述衬底表面清除不要的污染物和残渣的温度下，与一种组合物接触一定的时间，所述组合物包含：

(a)一种或多种无金属离子的碱；

(b)一种水溶性无金属离子的硅酸盐；和

(c)水。

24．根据权利要求23的方法，其中，所述半导体晶片衬底与所述组合物接触约1-30分钟。

25．根据权利要求23的方法，其中，所述半导体晶片衬底在约10-85℃的温度下与所述组合物接触。

26．根据权利要求23的方法，还包括漂洗和干燥步骤。

27．根据权利要求23的方法，其中，所述组合物含有无金属离子的碱，其含量足以产生约11-13的pH值。

28．根据权利要求23的方法，其中，所述组合物中水溶性无金属离子的硅酸盐的浓度约为0.01-5重量％。

29．根据权利要求23的方法，在所述组合物中还含有一种或多种螯合剂。