[发明专利]确定很小电容的方法及用途

权利要求书

1．用于确定由电导体面(2)副形成的电容器(Cp)的网格状装置的很小电容的方法，其中

a)进行将导体面(2)划分为组，

b)通过读出线(LL_n-1,LL_n,LL_n+1)导电地互相连接各一个组的导体面(2)，

c)互相分开地用各一个控制线(SL_k-1,SL_k,SL_k+1)导电地互相连接各一个组的导体面(2)，

d)在规定的时间期间如此施加一个电位到各自一个控制线上，使得在控制线和多个读出线之间出现给电容器(Cp)充电的电位差，这些电容器由与控制线连接的各至少一个导体面和与这些读出线中之一连接的各至少一个导体面形成，

e)经每个读出线分开地导出电荷到各一个集中电容器(Cs)上，

f)关断施加到控制线上的电位，并且借助于电路让有关的读出线低阻抗地记忆各自的电位，此电位定义有关集中电容器相对于准基电位的电荷状态，

g)如此经常地重复步骤d至f，直到已进行规定的充电数目时，或直到大于规定值的电位差位于每个集中电容器(Cs)上时为止，和

h)然后对于每个读出线确定集中电容器的电荷或电位差，或充电数目。

2．按权利要求1的方法，其中，在步骤f中采用各一个反馈的运算放大器(OP)，最迟在在其上关断施加到有关控制线上的电位的时刻上，在各一个要测量的电容器(Cp)和有关的集中电容器(Cs)之间将运算放大器用它的输出端接通到读出线上。

3．按权利要求2的方法，其中，采用由两个p沟道MOSFET(M1,M2)和三个n沟道MOSFET(M3,M4)组成的电路作为运算放大器(OP)，在此情况下

p沟道MOSFET(M1,M2)的源极接头和第一n沟道MOSFET(M5)的漏极接头是与供电电压的一个接头连接的，

p沟道MOSFET的漏极接头是与第二和第三n沟道MOSFET(M3,M4)中的各一个的漏极接头连接的，

p沟道MOSFET的栅极接头是互相地并且与第三n沟道MOSFET的漏极接头连接的，

第二和第三n沟道MOSFET的源极接头是互相地和经电源与供电电压的另外接头连接的，

第一n沟道MOSFET的栅极接头是与第二n沟道MOSFET的漏极接头连接的，

第一n沟道MOSFET的源极接头是与第二n沟道MOSFET的栅极接头连接的，并且经其它的电源与供电电压的另外接头连接的，并且形成电路的输出端，和

第三n沟道MOSFET的栅极接头形成电路的输入端。

4．采用按权利要求1至3之一的方法用于借助于结构化的导体面的电容的图像采集的应用。