[发明专利]存储单元阵列及其制法

权利要求书

1、存储单元阵列，其特征为：

-其中，提供至少一条第1导线(L1)，一条第2导线(L2)，和一条具有磁致电阻效应的存储元(SE)，

-其中，存储元安排在第1导线(L1)和第2导线(L2)之间的交叉处，

-其中，安排一磁轭(J)，它局部包围导线(L2)之一，并包含具有相对导磁率至少为10的可磁化材料，

-其中，如此安排一磁轭(J)，使得通过磁轭的磁通经存储元(SE)基本闭合。

2、根据权利要求1所述的存储单元阵列，其特征为：

其中磁轭包含软磁性的铁磁材料。

3、根据权利要求1或2所述的存储单元阵列，其特征为：

其中存储元(SE)连接在第1导线(L1)和第2导线(L2)之间。

4、根据权利要求1到3之一所述的存储单元阵列，其特征为：

其中导线(5,13)，存储元(7,8,9)和磁轭(4’)集成包含在衬底(1,2)内。

5、根据权利要求4所述的存储单元阵列，其特征为：

-其中，衬底包含具有主面的载体片(1)，该载体片在主面上具有第1绝缘层(2)，

-其中，在第1绝缘层(2)内提供一沟(3)，磁轭(4’)与沟的底和侧面相邻，在沟内安排第1导线(5)，

-其中，在磁轭上和第1导线表面安排存储元(7,8,9)。

6、根据权利要求4所述的存储单元阵列，其特征为：

-其中，衬底包含具有主面的载体片(1)，该载体片在主面上具有第1绝缘层(2)，

-其中，在第1绝缘层(2)内提供一沟(3)，在沟内安排第1导线(5)，

-其中，在第1导线(5)表面安排存储元(7,8,9)，

-其中，在存储元(7,8,9)之上安排第2导线(13)，

-其中，在存储元(7,8,9)之上磁轭(12,14)与第2导线侧面和避开存储元(7,8,9)的表面相邻，

-其中，提供第2绝缘层(10)，该层局部包围第2导线(13)和磁轭(12,14)。

7、根据权利要求1到3之一所述的存储单元阵列，其特征为：

-其中提供第1磁轭(4’)和第2磁轭(12,14)，它们分别局部包围导线(5,13)之一，并且分别包含具有相对导磁率至少为10的磁性材料。

-其中第1磁轭(4’)是如此安排的，使磁通通过第1磁轭(4)主要经存储元(7,8,9)闭合，

-其中第2磁轭是如此安排的，使磁通通过第2磁轭(12,14)，主要经存储元(7,8,9)闭合。

8、根据权利要求7所述的存储单元阵列，其特征为：

-其中，导线(5,13)，存储元(7,8,9)和第1磁轭(4’)，第2磁轭(12,14)集成包含在衬底内，

-其中，衬底包含具主面的载体片(1)，该载体片在主面上具有第1绝缘层(2)，

-其中，在第1绝缘层(2)内提供一沟(3)，第1磁轭(4’)与其沟底及侧面相邻，并在其沟内安排第1导线(5)，

-其中，第1磁轭(4’)和第1导线(5)之上安排存储元(7,8,9)，

-其中，在存储元上安排第2导线(13)，

-其中，在存储元(7,8,9)上第2磁轭(12,14)与第2导线(13)侧面和避开存储元(7,8,9)的表面相邻，

-其中，提供第2绝缘层(10)，该层至少局部包围第2导线(13)和第2磁轭(12,14)。

9、根据权利要求1到6之一所述的存储单元阵列，其特征为：

-其中，提供彼此平行走向的第1导线和彼此平行走向的第2导线，

-其中，具有磁致电阻效应的各一个存储元和局部包围导线之一并包含具有导磁率至少为10的磁性材料的磁轭在一对用第1导线之一和第2导线之一之间连接，该磁轭是如此安排的，使磁通通过磁轭主要经存储元闭合。