[发明专利]半导体基材的抛光垫

权利要求书

1．一种包括烧结热塑性树脂颗粒的抛光垫基材，其中所述抛光垫基材的平均孔尺寸为约5微米至约100微米。

2．权利要求1所述的抛光垫基材，钨WIWNU低于约10％，钨抛光速率大于约2000埃。

3．权利要求1所述的抛光垫基材，钨WIWNU低于约5％，钨抛光速率大于约2500埃。

4．权利要求1所述的抛光垫基材，钨WIWNU低于约3％，钨抛光速率大于约2500埃。

5．权利要求1所述的抛光垫，其中所述的热塑性树脂是聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龙、氟烃、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、和其共聚物和其混合物。

6．权利要求1所述的抛光垫，其中所述的热塑性树脂是聚氨酯树脂。

7．权利要求1所述的抛光垫，其中该垫的波浪度低于约100微米。

8．权利要求1所述的抛光垫，其中该垫的波浪度低于约35微米。

9．一种烧结聚氨酯树脂抛光垫基材，其具有顶表面和包括表层的底表面，其中所说基材的厚度为30-125密耳、密度为0.60-0.95gm/cm³，孔隙容积为15-70％，平均孔尺寸为约5-100微米、波浪度低于约100微米，其中该抛光垫的钨WIWNU低于约8％，钨抛光速率大于约2000埃。

10．一种抛光垫，包括：

a．进一步包括烧结热塑性树脂颗粒的抛光垫基材，其中所述抛光垫基材具有顶表面和包括表层的底表面，其中该抛光垫顶表面的平均未磨面粗糙度大于垫底表面的平均未磨面表面粗糙度，其中该垫的平均孔尺寸为约10-70微米、波浪度低于约100微米；

b．衬垫片材；和

c．位于衬垫片材和磨过面的底表面表层之间的粘合剂。

11．权利要求10所述的抛光垫，包括选自沟、开孔、槽、纹理和边缘形状的至少一种宏观特性。

12．权利要求10所述的抛光垫，其中该抛光垫的密度为0.50-0.95g/cm³。

13．权利要求10所述的抛光垫，其中该抛光垫的孔容积为15-70％。

14．权利要求10所述的抛光垫，其中所述的热塑性树脂是聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龙、氟烃、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、和其共聚物和其混合物。

15．权利要求10所述的抛光垫，其中所述的热塑性树脂是聚氨酯树脂。

16．权利要求10所述的抛光垫基材，钨WIWNU低于约10％，钨抛光速率大于约2000埃。

17．权利要求10所述的抛光垫基材，钨WIWNU低于约3％，钨抛光速率大于约2500埃。

18．一种抛光垫，包括：

a．烧结聚氨酯树脂抛光垫基材，具有顶表面和包括表层的底表面，其中所说基材的厚度为30-125密耳、密度为0.60-0.95gm/cm³，孔隙容积为15-70％，平均顶表面粗糙度为1-50微米，平均孔尺寸为约10-70微米、波浪度低于约35微米，平均底表面表层粗糙度小于20微米，其中平均底表面表层粗糙度小于顶表面的平均表面粗糙度，钨WIWNU低于约5％，钨抛光速率大于约2000埃。

b．衬垫片材；和

c．位于衬垫片材和磨过面的底表面表层之间的粘合剂。