[发明专利]具有改善的抗干扰性的磁致电阻存储器有效
| 申请号： | 99810892.8 | 申请日： | 1999-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1318198A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | W·维贝尔;R·特维斯;G·普拉萨 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改善 抗干扰 致电 存储器 | ||
【权利要求书】：
1．磁致电阻存储器，
其中，上下垂直重叠地存在用于第1位线(BL)的层，第1存储单元(Z)的磁致电阻层系(MRS)，用于字线(WL)的层，第2存储单元(Z)的磁致电阻层系和用于另一位线(BL)的层。
2．根据权利要求1所述的磁致电阻存储器，
其中，其它存储单元在所述状态下总具有置于其下单元(Z)的相反的状态，其中，在位线(BL)内的电流(I)具有与置于其上的其它位线(BL)的电流(I)相反的方向。
3．根据前述权利要求之一所述的磁致电阻存储器，
其中，磁致电阻层系(MRS)具有一软磁层(WM)和一硬磁层(HM)，它们通过薄隧道氧化物(TOX)彼此分开。
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