[发明专利]将气密盖密封到半导体管芯的方法和装置

权利要求书

1．一种具有气密密封的微电子机械(MEM)，包括：

a．其上形成有有源MEM器件的衬底；

b．环绕有源MEM器件的盖密封区；

c．形成在盖密封区上的第一层可焊接材料；

d．形成在第一层可焊接材料上的焊料层；

e．形成在焊料层上的第二层可焊接材料；

f．形成第二层可焊接材料上的盖，由此形成气密密封。

2．根据权利要求1的MEM，其中第一层可焊接材料为包括与盖密封区邻接的铬和与焊料邻接的钯的多层结构。

3．根据权利要求1的MEM，其中第一层可焊接材料为包括与盖密封区邻接的钛、与钛邻接的镍以及镍和焊料之间的铂的多层结构。

4．根据权利要求1的MEM，其中第二层可焊接材料为包括与焊料邻接的金和与盖邻接的铬的多层结构。

5．根据权利要求1的MEM，其中第二层可焊接材料为包括与焊料邻接的金、与金邻接的镍以及镍和盖之间的铬。

6．一种显示器件，包括：

a．形成在半导体衬底上的调光器；

b．环绕调光器的盖密封区；

c．与盖密封区相邻并远离调光器设置的多个键合焊盘；

d．形成在盖密封区上的第一层可焊接材料；

e．形成在第一层可焊接材料上的焊料层；

f．形成在焊料层上的第二层可焊接材料；

g．形成第二层可焊接材料上的透明盖，由此形成气密密封。

7．根据权利要求6的显示器件，其中调光器为衍射栅光阀。

8．根据权利要求6的显示器件，其中第一层可焊接材料为包括与盖密封区邻接的铬和与焊料邻接的钯的多层结构。

9．根据权利要求6的显示器件，其中第一层可焊接材料为包括与盖密封区邻接的钛、与钛邻接的镍以及镍和焊料之间的铂的多层结构。

10．根据权利要求6的显示器件，其中第二层可焊接材料为包括与焊料邻接的金和与盖邻接的铬的多层结构。

11．根据权利要求6的显示器件，其中第二层可焊接材料为包括与焊料邻接的金、与金邻接的镍以及镍和盖之间的铬。

12．一种使半导体器件形成气密密封的方法，包括以下步骤：

a．在半导体衬底上形成有源半导体器件；

b．环绕有源半导体器件形成基本上平面化的盖密封区；

c．在衬底的表面上和盖密封区外形成电连接到有源半导体器件的装置；

d．在盖密封区上形成第一层可焊接材料；

e．在透光盖上形成第二层可焊接材料，图形与第一层可焊接材料一致；

f．使第一层可焊接材料与第二层可焊接材料对准，同时在两者之间提供焊料层；以及    

g．施加热熔化焊料并将盖密封到盖密封区。

13．一种在盖和半导体器件之间形成气密密封的方法，其中盖和半导体器件相互平行，包括以下步骤：

a．在半导体衬底上形成有源半导体器件；

b．环绕有源半导体器件形成基本上平面化的盖密封区；

c．在衬底的表面上和盖密封区外形成电连接到有源半导体器件的装置；

d．在盖密封区上形成第一层可焊接材料；

e．在透光盖上形成第二层可焊接材料，图形与第一层可焊接材料一致；

f．使第一层可焊接材料与第二层可焊接材料对准，同时在两者之间提供焊料层；以及

g．施加热熔化焊料并将盖密封到盖密封区，

其中第一层可焊接材料和第二层可焊接材料每个在它们各长度周围具有基本上均匀的截面。