[发明专利]扁平型半导体装置、其制造方法及使用该装置的变换器

权利要求书

1.一种扁平型半导体装置，该扁平型半导体装置是在由绝缘性的外筒对在两面上露出的一对共用主电极板之间进行绝缘封装的扁平型封装体中装入了在第一主面上有第一主电极、在第二主面上有第二主电极的至少一个以上的半导体元件的半导体装置，其特征在于：该绝缘性的外筒的至少一部分由树脂部件构成。

2.根据权利要求1所述的扁平型半导体装置，其特征在于：该绝缘性的外筒由无机材料部件和上述树脂部件的复合体构成，而且该封装体内部被气密封装。

3.根据权利要求1及2所述的扁平型半导体装置，其特征在于：与在两面上露出的一对共用主电极板之间的空间距离相比，半导体装置的外部沿表面放电最短距离因上述树脂部件而变大。

4.根据权利要求1所述的扁平型半导体装置，其特征在于：有相对于上述共用主电极板之间的位移、粘接该共用主电极板和上述树脂部件用的粘合剂的至少一部分被加压的结构。

5.一种电力变换器，其特征在于：使用了扁平型半导体装置作为主变换元件来使用，该扁平型半导体装置的特征是在由绝缘性的外筒对在两面上露出的一对共用主电极板之间进行绝缘封装的扁平型封装体中装入了在第一主面上有第一主电极、在第二主面上有第二主电极的至少一个以上的半导体元件的半导体装置，该绝缘性的外筒的至少一部分由树脂部件构成。

6.一种扁平型半导体装置，该扁平型半导体装置是在由绝缘性的外筒对在两面上露出的一对主电极板之间进行外部绝缘的扁平型封装体中装入了在第一主面上至少有第一主电极、在第二主面上有第二主电极的至少一个以上的半导体元件的半导体装置，其特征在于：对每个该半导体元件来说，将个别的中间电极板插在该半导体元件的两个主电极和与其相对的该主电极板之间进行安装，利用电气绝缘性材料将该半导体元件表面上不与该中间电极板相对的外周部分以及该中间电极板的侧面的至少一部分封装起来。

7.一种扁平型半导体装置，该扁平型半导体装置是在由绝缘性的外筒对在两面上露出的一对主电极板之间进行外部绝缘的扁平型封装体中装入了在第一主面上至少有第一主电极、在第二主面上有第二主电极的至少一个以上的半导体元件的半导体装置，其特征在于：将个别的中间电极板插在该半导体元件的主电极和与其相对的该主电极板之间的至少第一主电极一侧进行安装，利用电气绝缘性材料将该半导体元件侧面、该半导体元件的第一主电极面上不与中间电极板相对的外周部分以及安装在第一主电极一侧的中间电极板的侧面的至少一部分封装起来。

8.一种扁平型半导体装置，该扁平型半导体装置是在由绝缘性的外筒对在两面上露出的一对主电极板之间进行外部绝缘的扁平型封装体中装入了在第一主面上至少有第一主电极、在第二主面上有第二主电极的至少一个以上的半导体元件的半导体装置，其特征在于：对每个该半导体元件来说，将个别的中间电极板插在该半导体元件的两个主电极和与其相对的该主电极板之间进行安装，利用电气绝缘性材料将该半导体元件侧面、该半导体元件的第一主电极面上不与中间电极板相对的外周部分、以及安装在第二主电极一侧的中间电极板的侧面的至少一部分封装起来。

9.根据权利要求1至3所述的扁平型半导体装置，其特征在于：接合了上述半导体元件的主电极中的至少第二主电极和与其相对的中间电极板。

10.根据权利要求1至4所述的扁平型半导体装置，其特征在于：接合了上述半导体元件的主电极中，至少第一主电极和与其相对的中间电极板。

11.根据权利要求1至5所述的扁平型半导体装置，其特征在于：上述电气绝缘性材料是具有成形性的材料。

12.根据权利要求1至6所述的扁平型半导体装置，其特征在于：上述电气绝缘性材料是以热硬化性或热塑性树脂为主体的材料。

13.根据权利要求1至7所述的扁平型半导体装置，其特征在于：上述电气绝缘性材料是热硬化性树脂与无机材料粉末的复合材料。

14.根据权利要求1至6所述的扁平型半导体装置，其特征在于：上述电气绝缘性材料是以玻璃或陶瓷为主体的材料。