[发明专利]电光调制器

权利要求书

1、一种电光器件，它包括一由含有掺杂剂的平板基片环绕在两侧的凸脊波导，用以形成一穿过该波导的导电通路，该掺杂剂在基片中沿垂直方向具有基本上均匀的分布。

2、一种电光器件，它包括一由含有掺杂剂的平板基片环绕在两侧的凸脊波导，用以形成一穿过该波导的导电通路，该掺杂剂沿基本上水平的方向扩散到该基片中。

3、一种电光器件，它包括一由含有掺杂剂的平板基片环绕在两侧的凸脊波导，用以形成一穿过该波导的导电通路，该掺杂区在至少两侧由不同于平板基片材料的材料构成的限制层加以限定。

4、如权利要求3所述的电光器件，其中凸脊波导和平板基片为同一种材料。

5、如权利要求3或4所述的电光器件，其中不同的材料是SiO₂。

6、一种电光器件，它包括一由含有掺杂剂的平板基片环绕在两侧的凸脊波导，用以形成一穿过该波导的导电通路，该掺杂区从形成在基片材料中的蚀刻区的一个侧面扩散到该基片中。

7、如权利要求6所述的电光器件，其中蚀刻区在掺杂后填充有硅和SiO₂中的一种。

8、如前述任一权利要求所述的电光器件，其中波导是由硅制成的。

9、如前述任一权利要求所述的电光器件，形成为绝缘体上硅片器件。

10、如前述任一权利要求所述的电光器件，包括具有与掺杂区电连接的接触点，该接触点设置在该基片的侧面上。

11、一种制作电光器件的方法，包括如下步骤：

在基片表面形成凸脊波导；蚀刻波导至少一侧的基片区并添加掺杂剂到蚀刻区的侧面上，从而将掺杂剂沿基本上水平的方向导入基片中。

12、如权利要求11的方法，其中在施加掺杂剂之前进行为各向异性湿蚀刻的进一步蚀刻，以便在蚀刻侧面形成一凹陷分布。

13、如权利要求12的方法，其中凹陷分布的垂直位置由控制在波导至少一侧所蚀刻的蚀刻区域的深度来控制。

14、一种基本上如本文参照附图2和3描述和/或所示的两者之一的电光器件。

15、一种基本上如本文参照附图2和3描述和/或所示的两者之一的制造电光器件的方法。