[发明专利]控制液体中溶解气体浓度的方法和系统

权利要求书

1、一种用包括溶解气体的液体混合物处理基片的方法，包括下列步骤：

(a)在一匹配气体混合物在场的情况下把一液体雾化以形成一包括该液体和一定浓度的溶解气体的雾化液体混合物；以及

(b)使得该雾化液体混合物接触该基片。

2、按权利要求1所述的方法，其特征在于，该基片包括一半导体晶片。

3、按权利要求1所述的方法，其特征在于，该雾化步骤包括：使得一包括该液体的第一流体流碰撞至少一个第二流体流。

4、按权利要求3所述的方法，其特征在于，该第二流体流包括该匹配气体混合物。

5、按权利要求3所述的方法，其特征在于，该第二流体流包括该液体。

6、按权利要求3所述的方法，其特征在于，第一和第二流各包括一定数量的该匹配气体混合物。

7、按权利要求1所述的方法，其特征在于，使得雾化液体混合物接触基片的该步骤使得基片表面的至少一部分受到蚀刻。

8、按权利要求7所述的方法，其特征在于，该雾化液体混合物包括水、氧气和水成氢氟酸，其含量可以0.1nm/min-100nm/min的速率有效蚀刻该基片。

9、按权利要求7所述的方法，其特征在于，该表面包括铜。

10、按权利要求1所述的方法，其特征在于，在雾化步骤前，进一步包括下列步骤：用匹配气体混合物接触该液体，使得预定浓度的匹配气体混合物溶解在该液体中。

11、按权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括下列步骤：在一室中放置该基片；在匹配气体混合物在场的情况下雾化液体的步骤包括：使得该室包括一定数量的匹配气体混合物。

12、按权利要求11所述的方法，其特征在于，在雾化步骤前，进一步包括下列步骤：用匹配气体混合物接触该液体，使得预定浓度的匹配气体混合物溶解在该液体中。

13、按权利要求1所述的方法，其特征在于，该匹配气体混合物包括待溶解在该液体中的气体和一惰性气体。

14、按权利要求13所述的方法，其特征在于，待溶解的气体包括氧气，该惰性气体包括氮气。

15、按权利要求1所述的方法，其特征在于，在雾化步骤前，进一步包括下列步骤：把一辅助液体混合物混合入该液体中。

16、按权利要求15所述的方法，其特征在于，该辅助液体混合物包括水成氢氟酸。

17、一种用一包括一溶解气体的液体混合物处理一基片的方法，包括下列步骤：

(a)提供待溶解在该液体中的气体的一匹配气体混合物；

(b)使该匹配气体混合物接触该液体以生成该液体混合物，以使该液体混合物中溶解气体的浓度与匹配气体混合物平衡；以及

(c)使该液体混合物接触该基片。

18、按权利要求17所述的方法，其特征在于，步骤(c)进一步包括下列步骤：雾化该液体混合物，使得该雾化液体混合物接触该基片。

19、按权利要求18所述的方法，其特征在于，雾化液体混合物的该步骤包括：在匹配气体混合物在场的情况下雾化液体混合物。

20、按权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括下列步骤：在一室中放置该基片；在匹配气体混合物在场的情况下雾化液体的步骤包括：使得该室包括一定数量的匹配气体混合物。

21、按权利要求18所述的方法，其特征在于，该雾化步骤包括：使得一包括该液体的第一流体流碰撞至少一个第二流体流。

22、按权利要求21所述的方法，其特征在于，该第二流体流包括该匹配气体混合物。

23、按权利要求21所述的方法，其特征在于，该第二流体流包括该液体。

24、按权利要求17所述的方法，其特征在于，使得液体混合物接触基片的该步骤使得基片表面的至少一部分受到蚀刻。